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메모리 IC 제품
(3884 결과)메모리는 집적 회로에서 데이터 저장 장치로 사용되는 반도체 장치입니다. 이러한 장치는 비휘발성 또는 휘발성의 CBRAM, DRAM, EEPROM, EERAM, EPROM, 플래시, FRAM, NVSRAM, PCM(PRAM), PSRAM, RAM 및 SRAM의 여러 형식으로 제공됩니다. 이 장치의 메모리 크기는 64b ~ 6Tb이며 인터페이스는 I2C, MMC, 병렬, eMMC, 직렬, 단일 와이어, SPI, UFS, Xccela 버스 및 1-Wire입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
 K4M51323LE-EL1LMemory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
 K4E151612D-TL50Memory ICs Products | SAMSUNG | 2311 | - | ||
 K5W1G13ACM-DJ60Memory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
 K4H561638D-TCBMemory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
 K4E151612C-TC60Memory ICs Products | SAMSUNG | 1092 | - | ||
 K4N56163QI-ZC25Memory ICs Products | SAMSUNG | DDR DRAM, 16MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, | 2360 | - | |
 K4D551638F-LC40Memory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
 K4B2G0846C-HCH9Memory ICs Products | SAMSUNG | DDR DRAM, 256MX8, CMOS, PBGA78, | 8032 | - | |
 K521H57ACD-B050Memory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
 K4N56163QG-ZC2AMemory ICs Products | SAMSUNG | DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84 | 8320 | - | |
 K6R1016C1C-JC15Memory ICs Products | SAMSUNG | Standard SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44 | 8202 | - | |
 K4H1G0838A-UCB3Memory ICs Products | SAMSUNG | DDR DRAM, 128MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66 | 재고 | - | |
 K4T1G084QE-HCE6Memory ICs Products | SAMSUNG | DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | 1303 | - | |
 K4H280838D-TBA2Memory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
 K4B4G0846Q-HYK0Memory ICs Products | SAMSUNG | 5131 | - | ||
 K4S51153LF-YL1LMemory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
 K4T51163QG-HCF7Memory ICs Products | SAMSUNG | 408 | - | ||
 K4T1G164QE-HCF8Memory ICs Products | SAMSUNG | DDR DRAM, 64MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84 | 2112 | - | |
 K4T51043QE-ZCE6Memory ICs Products | SAMSUNG | DDR DRAM, 128MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60 | 재고 | - | |
 K4H561638D-UCCCMemory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
 KAP29VG00B-A444Memory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
 KFG1G16U2B-DIB6Memory ICs Products | SAMSUNG | 1217 | - | ||
 KFG4GH6U4M-DIB6Memory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
 K8D3216UTM-TI09Memory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
 K7A403609B-QC22Memory ICs Products | SAMSUNG | Cache SRAM, 128KX36, 2.6ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | 재고 | - |
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