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메모리 IC 제품
(3884 결과)메모리는 집적 회로에서 데이터 저장 장치로 사용되는 반도체 장치입니다. 이러한 장치는 비휘발성 또는 휘발성의 CBRAM, DRAM, EEPROM, EERAM, EPROM, 플래시, FRAM, NVSRAM, PCM(PRAM), PSRAM, RAM 및 SRAM의 여러 형식으로 제공됩니다. 이 장치의 메모리 크기는 64b ~ 6Tb이며 인터페이스는 I2C, MMC, 병렬, eMMC, 직렬, 단일 와이어, SPI, UFS, Xccela 버스 및 1-Wire입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
 K4E641612E-TC50Memory ICs Products | SAMSUNG | EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 | 재고 | - | |
 K4T1G164QE-HCE7Memory ICs Products | SAMSUNG | DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84 | 31919 | - | |
 K4H561638N-LCB3Memory ICs Products | SAMSUNG | DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66 | 8578 | - | |
 K4H510838D-UCCCMemory ICs Products | SAMSUNG | DDR DRAM, 64MX8, 0.65ns, CMOS, PDSO66, | 6001 | - | |
 K521H57ACA-B050Memory ICs Products | SAMSUNG | 866 | - | ||
 K4S28163LD-BL75Memory ICs Products | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, CSP-54 | 재고 | - | |
 K4S561632J-UC60Memory ICs Products | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, | 18806 | - | |
 K4E641611C-TC60Memory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
 K4M563233D-EE1HMemory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
 K6F1616R6A-EF70Memory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
 K4U52324QE-BC08Memory ICs Products | SAMSUNG | 702 | - | ||
 K4S561633C-RN75Memory ICs Products | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, CSP-54 | 재고 | - | |
 K524G2GACH-B050Memory ICs Products | SAMSUNG | 25 | - | ||
 K3N5C118DE-GC12Y00Memory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
 K4T28163QP-BCE7Memory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
 K4B2G3146G-MQH9Memory ICs Products | SAMSUNG | 1122 | - | ||
 K5N5629ATC-BQ12Memory ICs Products | SAMSUNG | 9012 | - | ||
 K4D263238I-QC50Memory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
 K4H561638F-ZCB3Memory ICs Products | SAMSUNG | 1933 | - | ||
 K1S321615M-EE10Memory ICs Products | SAMSUNG | 2Mx16 bit Uni-Transistor Random Access Memory | 4714 | - | |
 K4S281632O-LC75Memory ICs Products | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, | 재고 | - | |
 K4B2G1646E-BCMAMemory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
 K9F1G08U0E-SIB0Memory ICs Products | SAMSUNG | 17113 | - | ||
 K7N163631B-PC25Memory ICs Products | SAMSUNG | ZBT SRAM, 512KX36, 2.6ns, CMOS, PQFP100 | 9005 | - | |
 K4A4G085WF-BCWEMemory ICs Products | SAMSUNG | DDR4-3200 512Mx8 (4Gb) | 1612 | - |
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