메모리는 집적 회로에서 데이터 저장 장치로 사용되는 반도체 장치입니다. 이러한 장치는 비휘발성 또는 휘발성의 CBRAM, DRAM, EEPROM, EERAM, EPROM, 플래시, FRAM, NVSRAM, PCM(PRAM), PSRAM, RAM 및 SRAM의 여러 형식으로 제공됩니다. 이 장치의 메모리 크기는 64b ~ 6Tb이며 인터페이스는 I2C, MMC, 병렬, eMMC, 직렬, 단일 와이어, SPI, UFS, Xccela 버스 및 1-Wire입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
K4D51163QI-HC6Memory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
K4S2808320-LC75Memory ICs Products | SAMSUNG | 8016 | - | ||
K4H511638D-KCBOMemory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
K4N51163QE-ZC25Memory ICs Products | SAMSUNG | Cache DRAM Module, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84 | 8402 | - | |
K5W1213ACD-AK75Memory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
K4E640412E-TC50Memory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
K4N51163QG-HC25Memory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
K4S561633C-RL75Memory ICs Products | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, CSP-54 | 1589 | - | |
K4N56163QI-ZC2AMemory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
K4J55323QI-AC14Memory ICs Products | SAMSUNG | 69 | - | ||
K3N3C643KD-DC12000Memory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
K5G1257ATA-SF75Memory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
K4S641632C-TC1LMemory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
K4X56163PG-FGC3Memory ICs Products | SAMSUNG | 3377 | - | ||
K4X1G323PD-8GC6Memory ICs Products | SAMSUNG | 8703 | - | ||
K6F1008U2C-YF70Memory ICs Products | SAMSUNG | 10404 | - | ||
K4W1G1646D-EJ11Memory ICs Products | SAMSUNG | DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA100, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-100 | 재고 | - | |
K5Q5764GOMMemory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
K9LCG08U0B-SCB0Memory ICs Products | SAMSUNG | 2381 | - | ||
K7M801825M-QC90Memory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
K9F1208UOB-FIBOMemory ICs Products | SAMSUNG | 8014 | - | ||
KLM4G1YE4C-B001Memory ICs Products | SAMSUNG | 1134 | - | ||
K7M803625M-QC90Memory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
K9F5608UOC-YCB0Memory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
K8P2815UQB-DI4BMemory ICs Products | SAMSUNG | 9001 | - |