전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
SP000934752FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TISON-8 | 재고 | - | |
IPD038N06N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 | 158 | - | |
SPB18P06P GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V 18.6A D2PAK-2 | 1965 | - | |
BSS316NH6327XTFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3 | 18700 | - | |
IPB029N06N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 1935 | - | |
BSO110N03MS GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 12.1A DSO-8 OptiMOS 3M | 3495 | - | |
IPB011N04L GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 | 1893 | - | |
BSC057N08NS3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | 11999 | - | |
IPP040N06NFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 | 455 | - | |
IPD65R225C7FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7 | 2264 | - | |
BSC160N10NS3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 42A TDSON-8 OptiMOS 3 | 5659 | - | |
IPW65R070C6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 53.5A TO247-3 CoolMOS C6 | 재고 | - | |
BSS119N H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | 39645 | - | |
SPA15N60C3FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3 | 773 | - | |
SPA08N80C3FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3 | 183 | - | |
SPW16N50C3FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3 | 246 | - | |
BF 998 E6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | RF MOSFET Transistors N-CH 12 V 30 mA | 재고 | - | |
SP000928260FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 6A DPAK-2 | 재고 | - | |
IMT65R033M2HXUMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | 200 | - | |
IPD30N03S4L-14FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2 | 9466 | - | |
IPP60R165CPFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP | 482 | - | |
SP000928262FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 8.7A DPAK-2 | 재고 | - | |
IMBG65R060M2HXTMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | 500 | - | |
IPP80N04S4-04FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS-T2 | 487 | - | |
SPA21N50C3FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 21A TO220FP-3 CoolMOS C3 | 재고 | - |