전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
IPB160N08S4-03FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-CHANNEL 75/80V | 94 | - | |
IPAN70R600P7SAUMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs | 357 | - | |
IPB035N10NF2SATMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 100 V | 재고 | - | |
IPA60R299CPFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP | 477 | - | |
BSC066N06NSFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | 3986 | - | |
IMBG65R010M2HXTMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | 500 | - | |
IPW60R280P6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO247-3 | 185 | - | |
SPB80P06P GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V 80A D2PAK-2 | 12272 | - | |
BSC030N03MS GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M | 8921 | - | |
IPB80N04S4L-04FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | 850 | - | |
BSC018N04LSGXTFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | 재고 | - | |
BSP315P H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3 | 1789 | - | |
IPP12CN10L GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 69A TO220-3 OptiMOS 2 | 102 | - | |
BSC0923NDIFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8 | 939 | - | |
IPI120N04S3-02FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T | 재고 | - | |
IPD90N04S3-H4FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T | 재고 | - | |
BSC900N20NS3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3 | 5015 | - | |
BSC016N03MS GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M | 1315 | - | |
SPW20N60C3FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3 | 1125 | - | |
IPB019N08N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 | 815 | - | |
IPA60R280E6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6 | 329 | - | |
IPB107N20NAFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 88A D2PAK-2 | 3993 | - | |
IPW65R099C6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3 | 170 | - | |
BSD223P H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch | 7561 | - | |
IPAN70R360P7SAUMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs | 46 | - |