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FET, MOSFET
(807 결과)전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
 BSC020N03LSGXTFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | 재고 | - | |
 SPW32N50C3FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3 | 1516 | - | |
 IPD90N04S3-04FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T | 1820 | - | |
 IPA60R380E6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6 | 725 | - | |
IPA037N08N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 75A TO220FP-3 OptiMOS 3 | 396 | - | |
 IPB70N04S4-06FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | 925 | - | |
SPD04P10P GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -100V -4A DPAK-2 | 재고 | - | |
SPW11N80C3FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3 | 171 | - | |
 BSO200P03S HFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -9.1A DSO-8 OptiMOS P | 3388 | - | |
 BSS316N H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3 | 69604 | - | |
 IMZC120R012M2HXKSA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2 | 188 | - | |
BSS670S2LH6327XTFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 55V 540mA SOT-23-3 | 13101 | - | |
BSC042N03MS GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3M | 5019 | - | |
BSC020N03MS GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M | 518 | - | |
 BSS192P H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -250V -190mA SOT-89-3 | 4697 | - | |
 IMBG65R026M2HXTMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | 500 | - | |
BSC014NE2LSIXTFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS | 5079 | - | |
 IPP020N08N5FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3 | 809 | - | |
 IPB80N04S3-06FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T | 921 | - | |
IPB034N06L3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 재고 | - | |
SPA11N60CFDFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220FP CoolMOS CFD | 재고 | - | |
IPP023NE7N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3 | 778 | - | |
 BCV 47 E6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | Darlington Transistors AF Trans Darlington NPN 60V 0.5A | 13984 | - | |
 GS-065-030-6-LL-TRFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs CoolGaN Transistor 700 V G4 for ultimate efficiency and reliability | 재고 | - | |
IPA075N15N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 150V 43A TO220FP-3 OptiMOS 3 | 재고 | - |
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