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FET, MOSFET
(807 결과)전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
 SPW24N60CFDFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 21.7A TO247-3 CoolMOS CFD | 10 | 1+: $14.21680 10+: $14.01960 30+: $13.88820 | |
 BSS806NH6327XTFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3 | 9433 | - | |
 BSP316P H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -100V -680mA SOT-223-3 | 15362 | - | |
IPW60R165CPFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 21A TO247-3 CoolMOS CP | 219 | - | |
 IPB180P04P4L-02FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2 | 258 | 1+: $3.13120 10+: $2.70400 30+: $2.43630
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 IPL65R099C7FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS | 16 | 1+: $10.20670 10+: $10.02760 30+: $9.90930 | |
 SPD50P03L GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P | 2158 | - | |
 IPD90P03P4-04FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V 90A DPAK-2 OptiMOS-P2 | 13417 | - | |
 SP000934758FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | 재고 | - | |
IPL60R210P6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER PRICE/PERFORM | 496 | 1+: $2.41160 10+: $2.03210 30+: $1.79390
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 IPP041N12N3GXKFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3 | 재고 | - | |
 BSO201SP HFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -20V -14.9A DSO-8 OptiMOS P | 1907 | - | |
IPP100N04S3-03FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 100A TO220-3 OptiMOS-T | 140 | - | |
BSS159N H6906FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3 | 44204 | - | |
BSP318S H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 2.6A SOT-223-3 | 30553 | - | |
 IPG20N06S4L-11FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 | 5300 | - | |
 BSZ42DN25NS3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20007 | - | |
 IPB020N10N5FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2 | 재고 | - | |
 SMBTA 14 E6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | Darlington Transistors AF Darlington NPN 30V 0.3A | 재고 | - | |
 SPA15N60CFDFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 13.4A TO220FP CoolMOS CFD | 24 | - | |
BSZ018NE2LSIFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS | 20 | 1+: $1.71180 10+: $1.68720 30+: $1.67070 | |
BSZ240N12NS3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 37A TSDSON-8 OptiMOS 3 | 4430 | - | |
 BSD235C H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6 | 112863 | - | |
IPL60R385CPFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 9A ThinPAK-4 CoolMOS CP | 2294 | - | |
IPD85P04P4L-06FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2 | 재고 | - |
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