전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
IPW60R165CPFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 21A TO247-3 CoolMOS CP | 219 | - | |
IPB180P04P4L-02FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2 | 122 | - | |
BSC016N04LS GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | 755 | - | |
IAUMN10S5N017GAUMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | 재고 | - | |
IPP052N06L3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | 500 | - | |
IPD90P03P4-04FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V 90A DPAK-2 OptiMOS-P2 | 13417 | - | |
IPB020N04N GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 140A D2PAK-6 OptiMOS 3 | 899 | - | |
SP000934758FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | 재고 | - | |
IPL60R210P6FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER PRICE/PERFORM | 3035 | - | |
IPP041N12N3GXKFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3 | 재고 | - | |
BSO201SP HFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -20V -14.9A DSO-8 OptiMOS P | 1907 | - | |
IPP100N04S3-03FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 100A TO220-3 OptiMOS-T | 140 | - | |
IPI60R125CPFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 25A I2PAK-3 CoolMOS CP | 재고 | - | |
BSS159N H6906FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3 | 44204 | - | |
BSP318S H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 2.6A SOT-223-3 | 30553 | - | |
IPG20N06S4L-11FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 | 5300 | - | |
BSZ42DN25NS3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20007 | - | |
IPB020N10N5FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2 | 재고 | - | |
SMBTA 14 E6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | Darlington Transistors AF Darlington NPN 30V 0.3A | 재고 | - | |
SPA15N60CFDFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 13.4A TO220FP CoolMOS CFD | 24 | - | |
BSZ018NE2LSIFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS | 65891 | - | |
BSZ240N12NS3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 37A TSDSON-8 OptiMOS 3 | 4430 | - | |
BSD235C H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6 | 112863 | - | |
IPL60R385CPFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 9A ThinPAK-4 CoolMOS CP | 2294 | - | |
IPD85P04P4L-06FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2 | 재고 | - |