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양극성 RF 트랜지스터
(482 결과)양극성 RF 트랜지스터는 무선 주파수와 관련된 장비에서 신호를 전환하거나 증폭하는 데 사용되는 3개의 단자가 있는 반도체 장치입니다. 바이폴라 접합 트랜지스터는 NPN 또는 PNP로 설계되었으며 트랜지스터 유형, 컬렉터-에미터 항복 전압, 전이 주파수, 잡음 지수, 이득, 전력, DC 전류 이득 및 컬렉터 전류의 특성을 갖습니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
 BFP193E6327Bipolar RF Transistors | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 4-Pin SOT-143 T/R | 3013 | - | |
 BFP410Bipolar RF Transistors | Infineon Technologies | TRANS RF NPN 25GHZ 4.5V SOT343 | 3512 | - | |
 BFG193 E6433Bipolar RF Transistors | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223 | 3519 | - | |
 BFR93ABipolar RF Transistors | Infineon Technologies | TRANS RF NPN 12V 90MA SOT323 | 31087 | - | |
 BG3123 H6327Bipolar RF Transistors | Infineon Technologies | Trans RF FET N-CH 8V 0.025A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | 재고 | - | |
 BF2030 E6327Bipolar RF Transistors | Infineon Technologies | Trans RF FET N-CH 8V 0.04A Automotive 4-Pin SOT-143 T/R | 5420 | - | |
 BF2040 E6814Bipolar RF Transistors | Infineon Technologies | RF MOSFET Transistors Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 5V | 160010 | - |
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