이산 전계 효과 트랜지스터(FET)는 상당한 양의 전류를 전달하면서 고주파수에서 켜고 끌 수 있는 특성이 유리한 전력 변환, 모터 제어, 고체 조명 및 기타 응용 분야에 널리 사용됩니다. 이는 수백 볼트 이하의 정격 전압을 요구하는 애플리케이션에 거의 보편적으로 사용되며, 그 이상에서는 IGBT와 같은 다른 장치 유형의 경쟁력이 더욱 높아집니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
GT095N10SSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 11A SOP-8 | 20000 | - | |
G2305Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<7 | 90000 | - | |
G050N03SSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N30V, 18A,RD<5M@10V,VTH1.1V~2.4V | 20000 | - | |
G1002LSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 2A SOT-23-3L | 60000 | - | |
GT035N06TSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N-CH, 60V,170A, RD(MAX)<3.5M@10V | 1000 | - | |
18N20Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V | 20000 | - | |
630ATSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3 | 87 | - | |
G1K1P06HHSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 4.5A SOT-223 | 7500 | - | |
GT105N10TSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 55A TO-220 | 10000 | - | |
GT088N06TSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@ | 50000 | - | |
G10N10ASingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 10A TO-252 | 20000 | - | |
G28N03D3Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L | 10000 | - | |
G29Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 15V 4.1A SOT-23 | 200000 | - | |
G20N03D2Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<24M@10V,RD(MAX)<29M | 4672 | - | |
G15N06KSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N-CH, 60V,15A,RD(MAX)<45M@10V,RD | 12301 | - | |
G33N03SSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A SOP-8 | 8000 | - | |
45P40Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P40V,RD(MAX)<14M@-10V,VTH2V~3V T | 60000 | - | |
G06N06SSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 8A SOP-8 | 40000 | - | |
GT040N04TISingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N40V, 110A,RD<4M@10V,VTH1.0V~2.5 | 75 | - | |
G02P06Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 1.6A,SOT-23 | 60000 | - | |
G50N03D5Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 50A DFN5*6-8L | 10000 | - | |
G100N03D5Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N-CH, 30V, 100A, RD(MAX)<3.5M@10 | 20000 | - | |
5N20ASingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N200V,RD(MAX)<650M@10V,VTH1V~3V, | 100000 | - | |
G1K1P06LLSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P-60V,-4A,RD(MAX)<110M@-10V,VTH- | 15000 | - | |
G75P04SSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET, P-CH,-40V,-11A,RD(MAX)<8 | 4000 | - |