이산 전계 효과 트랜지스터(FET)는 상당한 양의 전류를 전달하면서 고주파수에서 켜고 끌 수 있는 특성이 유리한 전력 변환, 모터 제어, 고체 조명 및 기타 응용 분야에 널리 사용됩니다. 이는 수백 볼트 이하의 정격 전압을 요구하는 애플리케이션에 거의 보편적으로 사용되며, 그 이상에서는 IGBT와 같은 다른 장치 유형의 경쟁력이 더욱 높아집니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
GT080N10TSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 70A TO-220 | 2000 | - | |
GT025N06ATSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 170A TO-220 | 5000 | - | |
G65P06FSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 65A TO-220F | 58000 | - | |
2301Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<8 | 300000 | - | |
GT095N10KSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 55A TO-252 | 15000 | - | |
G700P06JSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P-60V,-23A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH- | 3000 | - | |
G700P06TSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P-60V,25A,RD<70M@-10V,VTH1V~-2.5 | 3000 | - | |
G2014Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<11M | 6000 | - | |
2300FSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N20V, 6A,RD<[email protected],VTH0.5V~0.9 | 300000 | - | |
G45P02D3Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 45A DFN3*3-8L | 100000 | - | |
GT080N10MSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N100V, 70A,RD<7.5M@10V,VTH1V~3V, | 1600 | - | |
G12P10TESingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH ESD 100V 12A TO-220 | 56 | - | |
G09P02LSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 9A SOT-23-3L | 90000 | - | |
GT700P08TSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P-80V, -25A,RD<72M@-10V,VTH-2V~- | 1000 | - | |
03N06LSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 3A SOT-23-3L | 300000 | - | |
G08P06D3Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3. | 30000 | - | |
G110N06TSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8. | 6000 | - | |
G58N06FSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N60V, 35A,RD<13M@10V,VTH1.0V~2.4 | 58 | - | |
G06P01ESingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P12V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<4 | 30000 | - | |
G350P02LLESingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT-23-6 | 24000 | - | |
G080P06TSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 195A TO-220 | 10000 | - | |
G12P04KSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45 | 50000 | - | |
G13P04SSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P-40V,-13A,RD(MAX)<15M@-10V,VTH- | 8000 | - | |
G700P06D5Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 25A DFN5*6-8L | 10000 | - | |
GT110N06SSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 14A SOP-8 | 50000 | - |