이산 전계 효과 트랜지스터(FET)는 상당한 양의 전류를 전달하면서 고주파수에서 켜고 끌 수 있는 특성이 유리한 전력 변환, 모터 제어, 고체 조명 및 기타 응용 분야에 널리 사용됩니다. 이는 수백 볼트 이하의 정격 전압을 요구하는 애플리케이션에 거의 보편적으로 사용되며, 그 이상에서는 IGBT와 같은 다른 장치 유형의 경쟁력이 더욱 높아집니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
GT1003ASingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 3A SOT-23-3L | 102000 | - | |
G60N06TSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N60V, 50A,RD<17M@10V,VTH1.0V~2.0 | 3000 | - | |
G15P04KSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P40V,RD(MAX)<39M@-10V,RD(MAX)<70 | 5008 | - | |
3401Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23 | 270000 | - | |
G230P06TSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 60A TO-220 | 3000 | - | |
G60N04KSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 60A TO-252 | 90000 | - | |
G70N04TSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 70A TO-220 | 3000 | - | |
G2K3N10GSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N100V, 2.5A,RD<220M@10V,VTH1V~2V | 6000 | - | |
G12P10KESingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH ESD 100V 12A TO-252 | 50000 | - | |
G3401LSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 4.4A SOT-23-3L | 150000 | - | |
G23N06KSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 23A TO-252 | 30000 | - | |
G50N03JSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 65A TO-251 | 3655 | - | |
G6N02LSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23-3L | 100000 | - | |
G1K3N10GSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V, | 8000 | - | |
G70P02KSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 15V 70A TO-252 | 20000 | - | |
25P06Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 25A TO-252 | 50000 | - | |
GC20N65TSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 20A TO-220 | 4000 | - | |
GT55N06D5Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 45A DFN5*6-8L | 50000 | - | |
GC20N65QSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4 | 35 | - | |
G30N03D3Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@ | 10000 | - | |
G170P02D2Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 16A DFN2*2-6L | 60000 | - | |
2301HSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)< | 15000 | - | |
G65P06KSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3. | 40000 | - | |
G700P06LLSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET, P-CH,-60V,-5A,RD(MAX)<75 | 12000 | - | |
G7P03LSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 7A SOT-23-3L | 150000 | - |