이산 전계 효과 트랜지스터(FET)는 상당한 양의 전류를 전달하면서 고주파수에서 켜고 끌 수 있는 특성이 유리한 전력 변환, 모터 제어, 고체 조명 및 기타 응용 분야에 널리 사용됩니다. 이는 수백 볼트 이하의 정격 전압을 요구하는 애플리케이션에 거의 보편적으로 사용되며, 그 이상에서는 IGBT와 같은 다른 장치 유형의 경쟁력이 더욱 높아집니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
1002Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<2 | 2855 | - | |
06N06LSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 5.5A SOT-23-3L | 297000 | - | |
9926Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<30 | 3950 | - | |
G20N03KSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)<24M | 4043 | - | |
G35N02KSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<18 | 1345 | - | |
G40P03KSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P-30V,RD(MAX)<9.5M@-10V,RD(MAX)< | 10000 | - | |
GT090N06KSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 45A TO-252 | 40000 | - | |
GT060N04KSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET, N-CH, 40V,54A,TO-252 | 2310 | - | |
G700P06D3Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P-60V,-18A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH- | 1820 | - | |
G300P06D5Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P-60V,-40A,RD(MAX)<30M@-10V,VTH- | 25000 | - | |
2002ASingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N190V,5A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.0 | 재고 | - | |
GT180P08MSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET, P-CH,-80V,-89A,RD(MAX)<1 | 796 | - | |
G230P06KSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 60A TO-252 | 40000 | - | |
G300P06SSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P-CH,-60V,-12A,RD(MAX)<30M@-10V, | 3533 | - | |
G200P04D3Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 40V 20A DFN3*3-8L | 10000 | - | |
G08N02LSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N20V, 8A, RD<[email protected],VTH0.5V~ | 재고 | - | |
GT065P06D5Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L | 5000 | - | |
GT035N10TSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N100V,190A,RD<3.5M@10V,VTH2.0V~4 | 64 | - | |
G1K1P06LHSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 4.5A 3.1W SOT-2 | 3000 | - | |
G05P06LSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 5A SOT-23-3L | 60000 | - | |
GT750P08KSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 80V 28A TO-252 | 2500 | - | |
G60N10TSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<25M@10V,RD(MAX)<30 | 50000 | - | |
G020N03TSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 140A TO-220 | 3000 | - | |
5P40Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P40V,RD(MAX)<85M@-10V,RD(MAX)<12 | 300000 | - | |
GT090N06SSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N60V,14A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.4V, | 재고 | - |