이산 전계 효과 트랜지스터(FET)는 상당한 양의 전류를 전달하면서 고주파수에서 켜고 끌 수 있는 특성이 유리한 전력 변환, 모터 제어, 고체 조명 및 기타 응용 분야에 널리 사용됩니다. 이는 수백 볼트 이하의 정격 전압을 요구하는 애플리케이션에 거의 보편적으로 사용되며, 그 이상에서는 IGBT와 같은 다른 장치 유형의 경쟁력이 더욱 높아집니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
GC030N65QFSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 80A TO-247 | 30 | - | |
20N06Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N60V,25A,RD<24M@10V,VTH1.0V~2.5V | 재고 | - | |
GT150N12TSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 120V 55A TO-220 | 4000 | - | |
G75P04FSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 40V 54A TO-220F | 110 | - | |
GT750P10MSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 24A TO-263 | 3200 | - | |
GT400P10MSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 35A TO-263 | 1600 | - | |
GT52N10D5ISingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V | 재고 | - | |
GT750P10KSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P-CH,-100V,-24A,RD(MAX)<85M@-10V | 928 | - | |
GT040N04D5ISingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N40V,110A,RD<3.5M@10V,VTH1.0V~2. | 재고 | - | |
G090P02SSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8 | 16000 | - | |
G69FSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P-12V,-16A,RD(MAX)<[email protected],VTH | 재고 | - | |
GC041N65QFSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 70A TO-247 | 30 | - | |
G75P04D5ISingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P-40V,-70A,RD(MAX)<6.5M@-10V,VTH | 재고 | - | |
GS120R033Q4ASingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | SiC MOSFET N-CH 1200V 69A TO-24 | 5000 | - | |
G5N02LSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N20V, 5A, RD<18M@10V,VTH0.4V~1.0 | 3000 | - | |
G7P03D2Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P-30V,-7A,RD(MAX)<20.5M@-10V,VTH | 재고 | - | |
GT060N04D5Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2. | 4870 | - | |
GT060N10TSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 116A TO-220 | 50 | - | |
G10N06Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N60V,10A,RD<16M@10V,VTH1.2V~2.2V | 재고 | - | |
GT130N10MSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 60A TO-263 | 760 | - | |
GS65R030Q4ASingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | SiC MOSFET N-CH 650V 70A TO-247 | 5000 | - | |
G1K3N10LLSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 3.4A SOT-23-6L | 9000 | - | |
GT035N12TSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 120V 180A TO-220 | 40 | - | |
G36N03KSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 36A TO-252 | 5000 | - | |
G28N02TSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N20V, 28A, RD<[email protected],VTH0.5V~ | 재고 | - |