이산 전계 효과 트랜지스터(FET)는 상당한 양의 전류를 전달하면서 고주파수에서 켜고 끌 수 있는 특성이 유리한 전력 변환, 모터 제어, 고체 조명 및 기타 응용 분야에 널리 사용됩니다. 이는 수백 볼트 이하의 정격 전압을 요구하는 애플리케이션에 거의 보편적으로 사용되며, 그 이상에서는 IGBT와 같은 다른 장치 유형의 경쟁력이 더욱 높아집니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
GT025N06D5Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3. | 15000 | - | |
GT045N10D5Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 120A DFN5*6-8L | 4850 | - | |
G500P03IESingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH ESD 30V 4.6A SOT-23 | 27000 | - | |
G2K2P10D3ESingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3- | 5000 | - | |
GT011N03MESingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH ESD 30V A TO-263 | 800 | - | |
GT400P10TSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 35A TO-220 | 2000 | - | |
G60KN30ISingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 300V 0.3A SOT-23 | 1515 | - | |
GS120R068Q4ASingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | SiC MOSFET N-CH 1200V 39A TO-24 | 5000 | - | |
GT025N06AM6Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N60V,170A,RD<2.0M@10V,VTH1.2V~2. | 재고 | - | |
G6K8P15KESingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH ESD 150V 12A TO-252 | 10000 | - | |
G58N06KSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 58A TO-252 | 2500 | - | |
GS65R060Q4ASingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | SiC MOSFET N-CH 650V 42A TO-247 | 5000 | - | |
G60N10KSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N90V,60A,RD<25M@10V,VTH0.8V~2.5V | 5021 | - | |
G75P04KISingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P-40V,-70A,RD(MAX)<6.5M@-10V,VTH | 재고 | - | |
G120N03D3Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L | 5000 | - | |
GT011N03D5Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N30V,170A,RD<1.2M@10V,VTH1.0V~2. | 재고 | - | |
G60N10TSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<25M@10V,RD(MAX)<30 | 50000 | - | |
G020N03TSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 140A TO-220 | 3000 | - | |
5P40Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P40V,RD(MAX)<85M@-10V,RD(MAX)<12 | 300000 | - | |
G75P04TISingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P-40V,-70A,RD(MAX)<7M@-10V,VTH-1 | 재고 | - | |
GC20N65FSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4 | 20000 | - | |
G030N06TSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 223A TO-220 | 73 | - | |
GT090N06SSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N60V,14A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.4V, | 재고 | - | |
GS120R040Q4Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | SiC MOSFET N-CH 1200V 50A TO-24 | 5000 | - | |
G75P04SISingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P-40V,-11A,RD(MAX)<8M@-10V,VTH-1 | 재고 | - |