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Goford Semiconductor
GT130N10M
278-GT130N10M
PDF 데이터시트
MOSFET N-CH 100V 60A TO-263
8 Weeks
왜 우리를 선택해야 합니까?
전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
FET 유형
N-Channel
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1222 pF @ 50 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
18 nC @ 10 V
제품상태
Active
공급자 장치 패키지
TO-263
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전력 소비(최대)
73.5W (Tc)
패키지/케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
FAQ
GT130N10M의 표준 리드타임은 얼마인가요?
GT130N10M에 현재 표시된 표준 리드타임은 8 Weeks입니다.
GT130N10M의 장착 방식은 무엇인가요?
GT130N10M은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
GT130N10M에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
GT130N10M에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
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