이산 전계 효과 트랜지스터(FET)는 상당한 양의 전류를 전달하면서 고주파수에서 켜고 끌 수 있는 특성이 유리한 전력 변환, 모터 제어, 고체 조명 및 기타 응용 분야에 널리 사용됩니다. 이는 수백 볼트 이하의 정격 전압을 요구하는 애플리케이션에 거의 보편적으로 사용되며, 그 이상에서는 IGBT와 같은 다른 장치 유형의 경쟁력이 더욱 높아집니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
G12P10KSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)< | 13 | 5+: $0.32796 50+: $0.25752 150+: $0.22733
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G050N06LLSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 5A SOT-23-6L | 3016 | 50+: $0.10729 150+: $0.09155 500+: $0.07975
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GT10N10Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N100V, 7A,RD<140M@10V,VTH1.5V~2. | 1413 | 5+: $0.17123 50+: $0.13645 150+: $0.12155
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G20P08KSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P-80V,RD(MAX)<62M@-10V,RD(MAX)<7 | 138 | 10+: $0.36000 30+: $0.32228 100+: $0.27428
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G66Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 16V 5.8A DFN2*2-6L | 5462 | 200+: $0.02120 600+: $0.01788 3000+: $0.01483
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GT011N03D5ESingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH ESD 30V 209A DFN5*6- | 1557 | 10+: $0.42695 30+: $0.40072 100+: $0.37303
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GT095N04D3Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 47A DFN3*3-8L | 605 | 50+: $0.14560 150+: $0.12820 500+: $0.10649
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GT080N08D5Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N85V,65A,RD<8.5M@10V,VTH2.0V~4.0 | 85 | 10+: $0.46628 30+: $0.40800 100+: $0.34972
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G300N04LSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 5A SOT-23-3L | 7332 | 100+: $0.04896 300+: $0.04279 3000+: $0.03577
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GC280N65FSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 15A TO-220F | 15 | 10+: $1.00115 50+: $0.84857 100+: $0.72343
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G3416Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH ESD 20V 6A SOT-23 | 2402 | 100+: $0.03884 300+: $0.03395 3000+: $0.02838
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GT023N10MSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N100V,140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~4 | 62 | 10+: $1.47600 30+: $1.30457 100+: $1.12800
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GT019N04D5Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2. | 1336 | 50+: $0.29616 150+: $0.26393 500+: $0.22369
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GT007N04TLSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N40V,150A,RD<1.5M@10V,VTH1.0V~2. | 6 | 10+: $0.91715 30+: $0.81600 100+: $0.67028
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GT095N04D5Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 54A DFN5*6-8L | 14 | 50+: $0.15097 150+: $0.13247 500+: $0.10936
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GT009N04D5Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N40V,100A,RD<1.3M@10V,VTH1.0V~2. | 154 | 10+: $0.73543 30+: $0.64628 100+: $0.55885
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GC180N65MFSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 20A TO-263 | 재고 | 1+: $1.02857 10+: $1.00628 30+: $0.99085
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G75P04TISingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P-40V,-70A,RD(MAX)<7M@-10V,VTH-1 | 재고 | - | |
GC20N65FSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4 | 20000 | - | |
G030N06TSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 223A TO-220 | 73 | - | |
GT750P10KSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | P-CH,-100V,-24A,RD(MAX)<85M@-10V | 928 | - | |
GT100N04KSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N40V,50A,RD<10M@10V,VTH1.2V~2.2V | 2002 | 50+: $0.19268 150+: $0.17009 500+: $0.14191
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G08N03D2Single FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | N30V,8A,RD<20M@10V,VTH1.0V~2.0V, | 1047 | 50+: $0.09936 150+: $0.08620 500+: $0.07632
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GT016N10QSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 228A TO-247 | 4 | 10+: $1.59428 30+: $1.41257 100+: $1.22743
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GC20N65QDSingle FETs, MOSFETs | Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 20A TO-247 | 재고 | 10+: $1.63028 30+: $1.38515 90+: $1.20343
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