FET, MOSFET

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전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.

부분 #	제조업체	설명	유효성	가격
DMWSH120H23SM4 FETs, MOSFETs	Diodes Incorporated	SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS	재고	-
DMTH84M1SPSW-13 FETs, MOSFETs	Diodes Incorporated	MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K	재고	-
DMT10H032SDVWQ-13 FETs, MOSFETs	Diodes Incorporated	MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K	재고	-
DMJ70H600HCTI FETs, MOSFETs	Diodes Incorporated	MOSFETs MOSFET BVDSS: 651V-800V ITO-220AB TUBE 50PCS	재고	-
DMTH10H025LPDWQ-13 FETs, MOSFETs	Diodes Incorporated	MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K	재고	-
DMPH6051SFVWQ-7 FETs, MOSFETs	Diodes Incorporated	MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI3333-8 T&R 2K	재고	-
DMP27M1UPSWQ-13 FETs, MOSFETs	Diodes Incorporated	MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K	재고	-
DMP31D1UDW-13 FETs, MOSFETs	Diodes Incorporated	MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 T&R 10K	재고	-
DMN3350LDWQ-7 FETs, MOSFETs	Diodes Incorporated	MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 T&R 3K	재고	-
DMT10H032SDVW-7 FETs, MOSFETs	Diodes Incorporated	MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K	재고	-
DMTH10H032SDVW-13 FETs, MOSFETs	Diodes Incorporated	MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K	재고	-
DMT8003SPSWQ-13 FETs, MOSFETs	Diodes Incorporated	MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K	재고	-
D-2N7002W-7-F FETs, MOSFETs	Diodes Incorporated	SOT-323 ROHS	재고	-
D-2N7002-7-F FETs, MOSFETs	Diodes Incorporated	SOT-23-3 ROHS	재고	-
DMP4015SPSQ-13-2485 FETs, MOSFETs	Diodes Incorporated		재고	-
DMT5012LFVW-13 FETs, MOSFETs	Diodes Incorporated	50V 13mΩ@10V,10A 2.3V 1 N-Channel PowerDI3333-8 ROHS	재고	-
DMT5012LFVW-7 FETs, MOSFETs	Diodes Incorporated	50V 13mΩ@10V,10A 2.3V 1 N-Channel PowerDI3333-8 ROHS	재고	-