전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
DMP22M1UPSW-13FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | 재고 | - | |
DMJ70H1D4SJ3FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 651V-800V TO251 TUBE 75PCS | 재고 | - | |
DMT10H032LDVWQ-13FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K | 재고 | - | |
DMTH10H032LDVWQ-7FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | 재고 | - | |
DMC3350LDW-7FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 T&R 3K | 2999 | - | |
DMWSH120H23SM3FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS | 재고 | - | |
DMP22D6UFB4Q-7BFETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K | 재고 | - | |
DMN2992UFA-7BFETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K | 재고 | - | |
DMWSH120H28SM3QFETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS | 29 | - | |
DMP31D1UDW-7FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 T&R 3K | 재고 | - | |
DMN2046UW-13FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 10K | 재고 | - | |
DMP3014SFDE-7FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K | 재고 | - | |
DMN3350LFB-7BFETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X1-DFN1006-3 T&R 10K | 재고 | - | |
DMTH4M90SPSW-13FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K | 재고 | - | |
DMT26M0LDG-13FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K | 재고 | - | |
DMTH10H2M8LPSW-13FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K | 재고 | - | |
DMTH10H032LDVWQ-13FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K | 재고 | - | |
DMWSH120H80SM4FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS | 재고 | - | |
DMPH6051SFVW-7FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI3333-8 T&R 2K | 재고 | - | |
DMG7N65SCTIFETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 501V-650V | 325 | - | |
DMP26M1UPSWQ-13FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K | 재고 | - | |
DMT10H032SDVW-7FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | 재고 | - | |
DMTH10H032SDVW-13FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K | 재고 | - | |
DMN15M5UCA4-7FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN1815-4 T&R 3K | 재고 | - | |
DMN1005UFDF-7FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K | 재고 | - |