전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
DMWSH120H90SM4FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS | 27 | - | |
DMWSH120H90SM3QFETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS | 59 | - | |
DMN3071LVT-7FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K | 재고 | - | |
DMP31D1UDW-7FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 T&R 3K | 재고 | - | |
DMP6051SFVW-7FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI3333-8 T&R 2K | 재고 | - | |
DMTH43M8SPDWQ-13FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K | 재고 | - | |
DMPH6051SFVWQ-13FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI3333-8 T&R 3K | 재고 | - | |
DMC3350LDWQ-7FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 T&R 3K | 재고 | - | |
DMN3011LSS-13FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K | 재고 | - | |
DMN3011LFVW-7FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | 재고 | - | |
DMN2450UFB4Q-7RFETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs | 재고 | - | |
DMN6070LCA6-7FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V X2-TSN1510-6 T&R 3K | 재고 | - | |
DMWSH120H90SM3FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS | 59 | - | |
DMP4011SPSW-13FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | 재고 | - | |
DMP22D6UFB4-7BFETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K | 재고 | - | |
DMN39M1LFVWQ-13FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K | 재고 | - | |
DMWSH120H90SCT7-13FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 T&R 0.8K | 재고 | - | |
DMN3071LVT-13FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K | 재고 | - | |
DMN2992UFO-7RFETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0604-3 T&R 10K | 재고 | - | |
DMTH10H2M8LPSW-13FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K | 재고 | - | |
DMTH43M8SPDW-13FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K | 재고 | - | |
DMWSH120H90SCT7FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS | 49 | - | |
DMWSH120H43SM4FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS | 30 | - | |
DMG7N65SCTIFETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 501V-650V | 325 | - | |
ZXMHC6A07N8FETs, MOSFETs | Diodes Incorporated | 60V 1.8A 350mΩ@4.5V 1.36W 3V@250uA 2 N-Channel + 2 P-Channel SOIC-8 ROHS | 재고 | - |