onsemi
NTD6415AN-1G
단일 FET, MOSFET
NTD6415AN-1G
278-NTD6415AN-1G
onsemi-NTD6415AN-1G-datasheets-9862559.pdf
MOSFET N-CH 100V 23A IPAK
재고 : 2907
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기술 사양
FET 유형
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
제품상태
공급자 장치 패키지
드레인-소스 전압(Vdss)
전력 소비(최대)
패키지/케이스
기술
REACH 상태
제조업체
Vgs(최대)
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
FET 기능
ECCN
장착 유형
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(일)(최대) @ Id
시리즈
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
HTSUS
패키지
기본 제품 번호
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
Category
구성
PCB changed
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
HTS
Number of Elements per Chip
ECCN (US)
Typical Rise Time (ns)
PPAP
Maximum Power Dissipation (mW)
Channel Mode
Typical Turn-On Delay Time (ns)
Automotive
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
Supplier Package
Typical Fall Time (ns)
Package Height
채널 유형
EU RoHS
Maximum Continuous Drain Current (A)
Maximum Gate Source Voltage (V)
Maximum Drain Source Voltage (V)
SVHC Exceeds Threshold
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
Package Length
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
Standard Package Name
Pin Count
Mounting
Tab
Lead Shape
Part Status
SVHC
Package Width
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
NTD6415AN-1G 서류
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NTD6415AN Multiple Devices 05/Apr/2014 NTD6415AN onsemi RoHS onsemi REACH 관련 부품
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