onsemi
FDMC013P030Z
단일 FET, MOSFET
FDMC013P030Z
278-FDMC013P030Z
onsemi-FDMC013P030Z-datasheets-8646582.pdf
MOSFET P-CHANNEL 30V 54A 8MLP
재고 : 2
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기술 사양
FET 유형
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
제품상태
공급자 장치 패키지
드레인-소스 전압(Vdss)
전력 소비(최대)
패키지/케이스
기술
REACH 상태
제조업체
Vgs(최대)
RoHS 현황
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
FET 기능
ECCN
장착 유형
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(일)(최대) @ Id
시리즈
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
HTSUS
패키지
기본 제품 번호
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
Category
구성
PCB changed
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
HTS
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
Number of Elements per Chip
ECCN (US)
Typical Rise Time (ns)
PPAP
Maximum Power Dissipation (mW)
Channel Mode
Typical Turn-On Delay Time (ns)
Automotive
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
Supplier Package
Maximum IDSS (uA)
Typical Fall Time (ns)
Package Height
채널 유형
EU RoHS
Maximum Continuous Drain Current (A)
Maximum Gate Source Voltage (V)
Maximum Drain Source Voltage (V)
Package Length
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
Standard Package Name
Pin Count
Mounting
Lead Shape
Part Status
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
Package Width
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
FDMC013P030Z 서류
다음에 대한 데이터시트 및 제조업체 문서를 다운로드하세요. FDMC013P030Z
Mult Dev Assembly Add 12/Nov/2018 FDMC013P030Z Mult Devices 24/Oct/2017 Mult Dev EOL 8/Apr/2021 FDMC013P030Z Logo 17/Aug/2017 onsemi RoHS onsemi REACH Material Declaration FDMC013P030Z 관련 부품
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