onsemi
NVB055N60S5F
단일 FET, MOSFET
NVB055N60S5F
278-NVB055N60S5F
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SUPERFET5 FRFET, 55MOHM, D2PAK
재고 : 1935
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기술 사양
구성
Package Name
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
V gs(th) Max (V)
Typical Rise Time (ns)
PPAP
OPN in older Technology
Channel Mode
Typical Turn-On Delay Time (ns)
제품상태
Automotive
RoHS
드레인-소스 전압(Vdss)
Supplier Package
패키지/케이스
Q gd Typ @ V GS = 4.5 V (nC)
기술
REACH 상태
채널 유형
Wide SOA Mosfets
EU RoHS
Maximum Continuous Drain Current (A)
MSL Temp (°C)
수분 민감도 수준(MSL)
Status
작동 온도
Channel Polarity
Maximum Drain Source Voltage (V)
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
R DS(on) Max @ V GS = 10 V (mΩ)
ECCN
Supplier Temperature Grade
V (BR)DSS Min (V)
장착 유형
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Standard Package Name
Vgs(일)(최대) @ Id
MSL Type
Pin Count
Mounting
C rss Typ (pF)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
SVHC
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
HTSUS
패키지
P D Max (W)
USHTS
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
R DS(on) Max @ V GS = 4.5 V (mΩ)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
Category
Case Outline
PCB changed
HTS
FET 유형
Number of Elements per Chip
ECCN (US)
I D Max (A)
Maximum Power Dissipation (mW)
C oss Typ (pF)
Gate Level
공급자 장치 패키지
Minimum Operating Temperature (°C)
C iss Typ (pF)
Maximum Operating Temperature (°C)
전력 소비(최대)
Typical Fall Time (ns)
V GS Max (V)
Package Height
제조업체
Vgs(최대)
Q g Typ @ V GS = 4.5 V (nC)
RoHS 현황
Q rr Typ (nC)
R DS(on) Max @ V GS = 2.5 V (mΩ)
FET 기능
Maximum Gate Source Voltage (V)
SVHC Exceeds Threshold
Silicon Family
Package Length
시리즈
Operating Junction Temperature (°C)
유형
Tab
Part Status
Package Width
Q g Typ @ V GS = 10 V (nC)
기본 제품 번호
NVB055N60S5F 서류
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