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FET, MOSFET
(33 결과)전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
 STF80N450K6FETs, MOSFETs | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET | 재고 | - | |
 STL300N4F8FETs, MOSFETs | STMicroelectronics | MOSFETs N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm max, 290 STripFET F8 Power MOSFET | 10 | 1+: $5.81060 10+: $5.73340 30+: $5.68240 | |
 STF80N240K6FETs, MOSFETs | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET | 32 | - | |
 STRH40P10HY1FETs, MOSFETs | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 100V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA | 재고 | - | |
 SCT055TO65G3FETs, MOSFETs | STMicroelectronics | SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package | 100 | - | |
 STL160N4F8FETs, MOSFETs | STMicroelectronics | MOSFETs | 재고 | - | |
STF80N900K6FETs, MOSFETs | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 800 V, 750 mOhm typ., 6 A MDmesh K6 Power MOSFET | 재고 | - | |
STF80N340K6FETs, MOSFETs | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET | 재고 | - | |
 STL165N4F8AGFETs, MOSFETs | STMicroelectronics | MOSFETs Automotive N-Channel 40V, 2.6mOhm max, 154A STripFET F8 Power MOSFET | 10 | 1+: $4.56860 10+: $4.50780 30+: $4.46840 | |
 STB45N60DM6FETs, MOSFETs | STMicroelectronics | MOSFETs | 재고 | - | |
STRH100N10HYGFETs, MOSFETs | STMicroelectronics | Rad-Hard N-Channel 100V - 48A MOSFET | 재고 | - | |
STRH100N10HYTFETs, MOSFETs | STMicroelectronics | MOSFETs Rad-Hard N-Channel 100V - 48A MOSFET | 재고 | - | |
 STF80N600K6FETs, MOSFETs | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET | 89 | - | |
 STF80N1K1K6FETs, MOSFETs | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET | 83 | - | |
 STGH50H65B2-7AGFETs, MOSFETs | STMicroelectronics | Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A high-speed HB2 series IGBT in an H2PAK-7 package | 재고 | - | |
SCT018W65G3AGFETs, MOSFETs | STMicroelectronics | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247 package | 재고 | - | |
 SCT014TO65G3FETs, MOSFETs | STMicroelectronics | Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A in a TO-LL package | 재고 | - | |
STGWA80H65FBAGFETs, MOSFETs | STMicroelectronics | Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT in a TO-247 long leads | 재고 | - | |
SCT040W65G3AGFETs, MOSFETs | STMicroelectronics | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247 package | 재고 | - | |
 SCT018HU65G3AGFETs, MOSFETs | STMicroelectronics | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A in an HU3PAK package | 재고 | - | |
STGST200G65DTAGFETs, MOSFETs | STMicroelectronics | Automotive-grade trench gate field-stop IGBT 650 V, 200 A in a STPAK package | 재고 | - | |
SCT045W17KAGFETs, MOSFETs | STMicroelectronics | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 55 mOhm typ., 48 A in an HiP247 package | 재고 | - | |
SCT025W120G3-4FETs, MOSFETs | STMicroelectronics | Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package | 재고 | - | |
STF23NM60FETs, MOSFETs | STMicroelectronics | STF23NM60 | 재고 | - | |
 STF8NM60ND(1261)FETs, MOSFETs | STMicroelectronics | TO-220FP-3 ROHS | 19 | 1+: $1.45390 10+: $1.18940 50+: $1.04480
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