FET, MOSFET

(33 결과)

전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.

부분 # 제조업체 설명 유효성 가격 수량
STMicroelectronics_STGWA80H65FBAG

STGWA80H65FBAG

FETs, MOSFETs
STMicroelectronics Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT in a TO-247 long leads
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STMicroelectronics_SCT040W65G3AG

SCT040W65G3AG

FETs, MOSFETs
STMicroelectronics Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247 package
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STMicroelectronics_SCT018HU65G3AG

SCT018HU65G3AG

FETs, MOSFETs
STMicroelectronics Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A in an HU3PAK package
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STMicroelectronics_STGST200G65DTAG

STGST200G65DTAG

FETs, MOSFETs
STMicroelectronics Automotive-grade trench gate field-stop IGBT 650 V, 200 A in a STPAK package
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STMicroelectronics_SCT045W17KAG

SCT045W17KAG

FETs, MOSFETs
STMicroelectronics Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 55 mOhm typ., 48 A in an HiP247 package
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STMicroelectronics_SCT025W120G3-4

SCT025W120G3-4

FETs, MOSFETs
STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
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STMicroelectronics_STB5N80K

STB5N80K

FETs, MOSFETs
STMicroelectronics 800V 4A 60W 4V 1 N-Channel ROHS
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STMicroelectronics_FH13N60K

FH13N60K

FETs, MOSFETs
STMicroelectronics 600V 11A 380mΩ@10V 25W 4V@250uA 1 N-Channel TO-220FP ROHS
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