전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
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STGWA80H65FBAGFETs, MOSFETs | STMicroelectronics | Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT in a TO-247 long leads | 재고 | - | |
SCT040W65G3AGFETs, MOSFETs | STMicroelectronics | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247 package | 재고 | - | |
SCT018HU65G3AGFETs, MOSFETs | STMicroelectronics | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A in an HU3PAK package | 재고 | - | |
STGST200G65DTAGFETs, MOSFETs | STMicroelectronics | Automotive-grade trench gate field-stop IGBT 650 V, 200 A in a STPAK package | 재고 | - | |
SCT045W17KAGFETs, MOSFETs | STMicroelectronics | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 55 mOhm typ., 48 A in an HiP247 package | 재고 | - | |
SCT025W120G3-4FETs, MOSFETs | STMicroelectronics | Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package | 재고 | - | |
STB5N80KFETs, MOSFETs | STMicroelectronics | 800V 4A 60W 4V 1 N-Channel ROHS | 재고 | - | |
FH13N60KFETs, MOSFETs | STMicroelectronics | 600V 11A 380mΩ@10V 25W 4V@250uA 1 N-Channel TO-220FP ROHS | 재고 | - |