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메모리 IC 제품
(3884 결과)메모리는 집적 회로에서 데이터 저장 장치로 사용되는 반도체 장치입니다. 이러한 장치는 비휘발성 또는 휘발성의 CBRAM, DRAM, EEPROM, EERAM, EPROM, 플래시, FRAM, NVSRAM, PCM(PRAM), PSRAM, RAM 및 SRAM의 여러 형식으로 제공됩니다. 이 장치의 메모리 크기는 64b ~ 6Tb이며 인터페이스는 I2C, MMC, 병렬, eMMC, 직렬, 단일 와이어, SPI, UFS, Xccela 버스 및 1-Wire입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
 K4T51083QI-HCE6TQ0Memory ICs Products | SAMSUNG | DDR2-667 64Mx8 (512Mb) | 재고 | - | |
K4T2G084QA-HCF7Memory ICs Products | SAMSUNG | DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA68, ROHS COMPLIANT, FBGA-68 | 재고 | - | |
 K4T1G164QG-BCF7000Memory ICs Products | SAMSUNG | DDR2-800 64Mx16 (1Gb) | 2089 | - | |
K4B4G0846B-HYH9Memory ICs Products | SAMSUNG | DDR DRAM Module, 512MX8, CMOS, PBGA78, FBGA-78 | 111 | - | |
K4B4G0846D-HCMAMemory ICs Products | SAMSUNG | DDR3-1866 512Mx8 (4Gb) | 재고 | - | |
K4B4G0446Q-HYK0Memory ICs Products | SAMSUNG | DDR3-1600 1Gx4 (4Gb) 1.35V | 재고 | - | |
K4T1G084QD-ZCE7Memory ICs Products | SAMSUNG | DDR2-800 128Mx8 | 재고 | - | |
K3LK3K30EM-BGCNMemory ICs Products | SAMSUNG | LPDDR5-5500 (64Gb) | 4034 | - | |
K4E4E324EE-AGCEMemory ICs Products | SAMSUNG | LPDDR3 4G 1CHx32 | 재고 | - | |
K4E6E304ED-EGCG0JPMemory ICs Products | SAMSUNG | LPDDR3-2133 16Gb | 재고 | - | |
K4T51083QJ-BCE7Memory ICs Products | SAMSUNG | DDR2-800 64Mx8 Pb-Free Halogen-Free | 244 | - | |
K4B4G1646F-BCNBMemory ICs Products | SAMSUNG | DDR3-2133 256Mx16 (4Gb) | 재고 | - | |
K4H560838D-TCB3Memory ICs Products | SAMSUNG | DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 | 1027 | - | |
 KHA844801X-MN12Memory ICs Products | SAMSUNG | HBM2 2Gb/s 4Gb | 재고 | - | |
K4E151611D-TC50Memory ICs Products | SAMSUNG | 재고 | - | ||
K4H511638B-GCB3Memory ICs Products | SAMSUNG | DDR-333 32Mx16 | 재고 | - | |
KHA884901X-MC13Memory ICs Products | SAMSUNG | HBM2 2.4Gb/s 8Gb | 재고 | - | |
K4H510438G-LCCCMemory ICs Products | SAMSUNG | DDR-400 128Mx4 Pb-Free | 재고 | - | |
K4X2G163PC-FGD8Memory ICs Products | SAMSUNG | LPDDR 128Mx16 | 재고 | - | |
K4H510838F-LCB3Memory ICs Products | SAMSUNG | DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP2-66 | 2275 | - | |
K4X2G303PE-AXC60JRMemory ICs Products | SAMSUNG | LPDDR 64Mx32 FBGA | 재고 | - | |
K4ZAF325BC-SC14Memory ICs Products | SAMSUNG | GDDR6 14Gb/s 512Mx32 (16Gb) | 재고 | - | |
K4W2G1646P-HC12Memory ICs Products | SAMSUNG | GDDR3 128Mx16-12 | 재고 | - | |
K4H510838N-LCCCMemory ICs Products | SAMSUNG | DDR-400 64Mx8 (512Mb) | 재고 | - | |
K4E640411C-TC50000Memory ICs Products | SAMSUNG | EDO 16Mx4 5V 4K TSOP | 재고 | - |
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