FET, MOSFET

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전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.

부분 #	제조업체	설명	유효성	가격
UF4C120053K4S FETs, MOSFETs	onsemi	SiC MOSFETs 1200V/53mO,SICFET,G4,TO247-4	746	-
UF3C120040K3S FETs, MOSFETs	onsemi	SiC MOSFETs 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-3	163	-
UJ4C075018K4S FETs, MOSFETs	onsemi	SiC MOSFETs 750V/18mO,SICFET,G4,TO247-4	재고	-
UJ4C075023K4S FETs, MOSFETs	onsemi	SiC MOSFETs 750V/23mO,SICFET,G4,TO247-4	933	-
NVMFWS0D9N04XMT1G FETs, MOSFETs	onsemi	MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE	재고	-
NVMFWS4D5N08XT1G FETs, MOSFETs	onsemi	MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 92 A, 4.5 mohm	1500	-
NVMFS5C410NLAFT1G-YE FETs, MOSFETs	onsemi	Single N-Channel Power MOSFET 40V, 330A, 0.82mΩ	재고	-
NVTFWS4D9N04XMTAG FETs, MOSFETs	onsemi	Single N-Channel Power MOSFET 40 V, 66 A, 4.9 mΩ	재고	-
NVMFWS1D1N04XMT1G FETs, MOSFETs	onsemi	Single N-Channel Power MOSFET 40 V, 233A,1.05mohm	재고	-
NVMFWS004N04XMT1G FETs, MOSFETs	onsemi	Single N-Channel Power MOSFET 40 V, 65 A, mΩ4.7	재고	-
NVTFS004N04CETAG FETs, MOSFETs	onsemi	Single N-Channel Power MOSFET 40V, 77A, 4.9mΩ	재고	-
UJ4C075023K3S FETs, MOSFETs	onsemi	Silicon Carbide (SiC) Cascode JFET - EliteSiC, 23 mohm, 750V, TO-247-3L	재고	-
NVTFS5C680NLWFETAG FETs, MOSFETs	onsemi	Single N-Channel Power MOSFET 60V, 20A, 26.5mΩ	재고	-
UF3SC120040B7S FETs, MOSFETs	onsemi	Silicon Carbide (SiC) Cascode JFET - EliteSiC, 35 mohm, 1200V, D2PAK-7L	재고	-
NVMFWS1D3N04XMT1G FETs, MOSFETs	onsemi	Single N-Channel Power MOSFET 40 V, 195A, 1.3 mΩ	재고	-
UJ4SC075006K4S FETs, MOSFETs	onsemi	Silicon Carbide (SiC) Cascode JFET - EliteSiC, 5.9 mohm, 750V, TO-247-4L	재고	-
NVTFS6H880NLTAG FETs, MOSFETs	onsemi	MOSFET - Power, Single N-Channel, 80 V, 29 mΩ, 22 A	재고	-
NVMFWS0D6N04XMT1G FETs, MOSFETs	onsemi	Single N-Channel Power MOSFET 40 V, 369 A, 0.6 mΩ	재고	-
NVTFWS1D3N04XMTAG FETs, MOSFETs	onsemi	Single N-Channel Power MOSFET 40 V, 195A, 1.3 mΩ	재고	-
NVMYS4D6N06CTWG FETs, MOSFETs	onsemi	Power MOSFET 60 V, 4.7 mΩ, 92 A, Single N-Channel NVMYS4D6N06CTWG	재고	-
NVMFWS0D63N04XMT1G FETs, MOSFETs	onsemi	Single N-Channel Power MOSFET 40 V, 384 A, 0.6 mΩ	재고	-
NVTFWS016N06CT1G FETs, MOSFETs	onsemi	Power MOSFET, Single, N-Channel, µ8FL, 60 V, 16.3 mΩ, 32 A	재고	-
NVTFS016N06CT1G FETs, MOSFETs	onsemi	Power MOSFET, Single, N-Channel, µ8FL, 60 V, 16.3 mΩ, 32 A	재고	-
UF4SC120009K4SH FETs, MOSFETs	onsemi	Silicon Carbide (SiC) Cascode JFET - EliteSiC, 9.1 mohm, 1200V, TO-247-4L	재고	-
NVMFS4C302NWFET1G FETs, MOSFETs	onsemi	Single N−Channel Logic Level Power MOSFET 30 V, 241 A, 1.15 mΩ	재고	-