전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다. 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 FET의 한 유형입니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
UJ4SC075010L8SSRFETs, MOSFETs | onsemi | SiC MOSFETs UJ4SC075010L8S | 재고 | - | |
UF4C120053K3SFETs, MOSFETs | onsemi | SiC MOSFETs 1200V/53mO,SICFET,G4,TO247-3 | 710 | - | |
UF3C065040T3SFETs, MOSFETs | onsemi | SiC MOSFETs 650V/40mO,SICFET,G3,TO220-3 | 290 | - | |
NTMFS003P03P8ZT1GFETs, MOSFETs | onsemi | MOSFETs PFET SO8FL -30V 3MO | 재고 | - | |
UJ4C075033K3SFETs, MOSFETs | onsemi | SiC MOSFETs 750V/33mO,SICFET,G4,TO247-3 | 128 | - | |
UF3C065080K4SFETs, MOSFETs | onsemi | SiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO247-4 | 662 | - | |
UJ3C120040K3SFETs, MOSFETs | onsemi | SiC MOSFETs 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-3 | 637 | - | |
UF3C065080B7SFETs, MOSFETs | onsemi | SiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-7 | 216 | - | |
UF4SC120030K4SFETs, MOSFETs | onsemi | SiC MOSFETs 1200V/30mO,SICFET,G4,TO247-4 | 230 | - | |
UJ4C075060K3SFETs, MOSFETs | onsemi | SiC MOSFETs 750V/60mO,SICFET,G4,TO247-3 | 2402 | - | |
NVD5805NT4G-VF01FETs, MOSFETs | onsemi | Single N-Channel Power MOSFET 40V, 51A, 9.5mΩ, 2500-REEL | 재고 | - | |
UF4SC120023B7SSBFETs, MOSFETs | onsemi | SiC MOSFETs 1200V/23mOhms,SICFET,G4,TO263-7 | 재고 | - | |
NVH4L032N065M3SFETs, MOSFETs | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S | 450 | - | |
NVMFWS4D5N08XT1GFETs, MOSFETs | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 92 A, 4.5 mohm | 1500 | - | |
FCH023N65S3FETs, MOSFETs | onsemi | 650V 75A 595W 23mΩ@10V,37.5A [email protected] 1 N-Channel TO-247AC-3 ROHS | 재고 | - | |
FCH040N65S3FETs, MOSFETs | onsemi | 650V 65A 20W 40mΩ@10V [email protected] 1 N-Channel TO-247-3 ROHS | 재고 | - | |
FCPF600N65S3R0FETs, MOSFETs | onsemi | 650V 6A 24W 600mΩ@10V [email protected] 1 N-Channel TO-220F-3 ROHS | 재고 | - | |
FDD4685-F085FETs, MOSFETs | onsemi | P-Channel PowerTrench® MOSFET, -40 V, -32 A, 35 mΩ, TO-252 3L (DPAK), 2500-REEL | 재고 | - | |
EFC2J011NUZTDGFETs, MOSFETs | onsemi | ROHS | 재고 | - | |
FDS8984-F085FETs, MOSFETs | onsemi | N-Ch MOSFET 30V 7A 23mΩ SOIC SM | 재고 | - | |
FDB075N15A-F085FETs, MOSFETs | onsemi | 150V 110A 5.5mΩ@10V,80A 333W 1 N-Channel D2PAK ROHS | 재고 | - | |
FQD2N60CTM-WSFETs, MOSFETs | onsemi | Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 600 V, 1.9 A, 4.7 Ω, DPAK, TO-252 3L (DPAK), 2500-REEL | 재고 | - | |
NTNS1K5N021ZTCGFETs, MOSFETs | onsemi | MOSFET, N-Channel FET, 20V, 1.5 Ω, XDFN3, 8000-REEL | 재고 | - | |
NTMFS4936NT3GFETs, MOSFETs | onsemi | N-CH Power MOSFET 30V 19.5A SO-FL SMT | 재고 | - | |
FQA7N80C-F109FETs, MOSFETs | onsemi | Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 800 V, 7 A, 1.9 Ω, TO-3P, TO-3PN 3L, 450-TUBE | 재고 | - |