전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
SI9955DYFET, MOSFET Arrays | onsemi | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | 11064 | - | |
FDMC6890NZFET, MOSFET Arrays | onsemi | Dual N-Ch MOSFET 20V 4A 68mR Surface Mount | 재고 | - | |
FDMS9620SFET, MOSFET Arrays | onsemi | Dual N-Ch MOSFET 30V 10A 13mR Surface Mount | 1524 | - | |
NTGD4161PT1GFET, MOSFET Arrays | onsemi | Power MOSFET -30V -2.3A 160 mOhm Dual P-Channel TSOP6, TSOP-6, 3000-REEL | 179610 | - | |
NTHD4102PT3GFET, MOSFET Arrays | onsemi | Dual P-Channel ChipFET™ Power MOSFET -20V -4.1A 80mΩ, ChipFET, 10000-REEL | 재고 | - | |
NTJD4158CT2GFET, MOSFET Arrays | onsemi | Complementary Small Signal MOSFET, SC-88/SC70-6/SOT-363 6 LEAD, 3000-REEL | 352008 | - | |
NTLGD3502NT2GFET, MOSFET Arrays | onsemi | Dual N-Ch MOSFET 20V 4.3A 60mR DFN6 | 3397 | - | |
NTLJD2105LTBGFET, MOSFET Arrays | onsemi | Power MOSFET 8V 4.3 A 50mOhm N-Channel WDFN Load Switch with Level Shift, 6 Pin WDFN, 2x2, 0.65P, 3000-REEL | 3519 | - | |
NTLJD3115PTAGFET, MOSFET Arrays | onsemi | Dual P-Channel Power MOSFET -20V -4.1A 100mΩ, WDFN6 2x2, 0.65P, 3000-REEL | 3420 | - | |
NTLJD3119CTAGFET, MOSFET Arrays | onsemi | Dual N/P-Channel MOSFET 20V 2.3A 65mR DFN | 6125 | - | |
NTLJD4150PTBGFET, MOSFET Arrays | onsemi | Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 6-Pin WDFN T/R | 재고 | - | |
NTMD4820NR2GFET, MOSFET Arrays | onsemi | Dual N-Ch Power MOSFET 30V 6.4A 20mR SOIC-8 | 재고 | - | |
NTUD3127CT5GFET, MOSFET Arrays | onsemi | Small Signal MOSFET 20V 160/140 mA 3/5 Ohm Complementary SOT-963, SOT-963, 1x1, 0.35P, 8000-REEL | 11115 | - | |
NTUD3128NT5GFET, MOSFET Arrays | onsemi | Small Signal MOSFET 20V 200 mA 3000 mOhm Dual N-Channel SOT-963, SOT-963, 1x1, 0.35P, 8000-REEL | 1611 | - | |
NTUD3129PT5GFET, MOSFET Arrays | onsemi | Small Signal MOSFET −20 V, −180 mA, Dual P−Channel,1.0 x 1.0 mm SOT−963 Package, SOT-963, 1x1, 0.35P, 8000-REEL | 재고 | - | |
NTLJD3181PZTAGFET, MOSFET Arrays | onsemi | Power MOSFET 20V 3.2A 100 mOhm Dual P−Channel WDFN6 with ESD, WDFN6 2x2, 0.65P, 3000-REEL | 재고 | - | |
NTLJD3181PZTBGFET, MOSFET Arrays | onsemi | Power MOSFET 20V 3.2A 100 mOhm Dual P−Channel WDFN6 with ESD, WDFN6 2x2, 0.65P, 3000-REEL | 재고 | - | |
NTLJD3183CZTAGFET, MOSFET Arrays | onsemi | Power MOSFET 20V 3.2A 100 mOhm Dual Complementary WDFN6 with ESD, WDFN6 2x2, 0.65P, 3000-REEL | 재고 | - | |
NTLJD3183CZTBGFET, MOSFET Arrays | onsemi | Power MOSFET 20V 3.2A 100 mOhm Dual Complementary WDFN6 with ESD, WDFN6 2x2, 0.65P, 3000-REEL | 재고 | - | |
FDC6036P_F077FET, MOSFET Arrays | onsemi | MOSFET 2P-CH 20V 5A 6SSOT | 35007 | - | |
FDS4559-F085FET, MOSFET Arrays | onsemi | 60V Complementary PowerTrench® MOSFET, SO 8L NB, 2500-REEL | 재고 | - | |
FDS9958-F085FET, MOSFET Arrays | onsemi | Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET -60V, -2.9A, 105mΩ, SO 8L NB, 2500-REEL | 7817 | - | |
SI9936DYFET, MOSFET Arrays | onsemi | Res Thick Film 0603 20K Ohm 1% 0.1W(1/10W) ±100ppm/C Pad SMD Automotive T/R | 재고 | - | |
ECH8619-TL-EFET, MOSFET Arrays | onsemi | MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8 | 재고 | - | |
ECH8651R-TL-HFET, MOSFET Arrays | onsemi | N-Ch MOSFET, 24V, 10A, 14mR, Dual, SOT-28FL | 31705 | - |