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NTLJD3181PZTBG

289-NTLJD3181PZTBG
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Power MOSFET 20V 3.2A 100 mOhm Dual P−Channel WDFN6 with ESD, WDFN6 2x2, 0.65P, 3000-REEL

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책임 있는 품질
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

기술 사양

Continuous Drain Current (ID)
2.2A
Drain to Source Breakdown Voltage
20V
Drain to Source Resistance
100mR
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
Fall Time
9ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
8V
입력 커패시턴스
450pF
Lead Free
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FAQ

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