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FET, MOSFET 어레이
(535 결과)전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
 FS03MR12A6MA1LBFET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | SIC 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD | 재고 | - | |
DF23MR12W1M1B11BOMA1244FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET | 재고 | - | |
 IRF6802SDTRPBFFET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 16A DIRECTFETSA | 재고 | - | |
 F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | SIC 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B | 33 | - | |
 FF2MR12W3M1HB11BPSA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | SIC 4N-CH 1200V AG-EASY3B | 17 | - | |
 FS55MR12W1M1HB11NPSA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | SIC 6N-CH 1200V 15A AG-EASY1B | 53 | - | |
 IPG20N04S409AATMA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON | 5000 | - | |
FF45MR12W1M1PB11BPSA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM | 재고 | - | |
AUIRFN8458TRXTMA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN | 재고 | - | |
BSZ0907NDXTMA2FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 6.7A WISON-8 | 재고 | - | |
BSZ0908NDXTMA2FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 4.8A WISON-8 | 재고 | - | |
FF1MR12KM1HFET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET | 재고 | - | |
FF4MR12KM1HFET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET | 재고 | - | |
FF1MR12KM1HPFET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET | 재고 | - | |
FF4MR12KM1HPFET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET | 재고 | - | |
 DF419MR20W3M1HFB11BPSA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 4N-CH 2000V 50A AG-EASY3B | 6 | - | |
IPG20N06S2L65AAUMA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON | 재고 | - | |
IPG20N04S408BATMA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON | 5000 | - | |
 DF16MR12W1M1HFB67BPSA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 1200V 25A | 18 | - | |
 FF8MR12W1M1HB70BPSA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET | 49 | - | |
 FF1MR12KM1HPHPSA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET | 35 | - | |
 FF17MR12W1M1HB70BPSA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | SIC 1200V AG-EASY1B | 21 | - | |
IPG20N06S2L65AUMA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET | 재고 | - | |
 FF6MR12W2M1HB11BPSA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | SIC 2N-CH 1200V 145A MODULE | 27 | - | |
FF4MR12W2M1HB11BPSA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | SIC 2N-CH 1200V 170A MODULE | 17 | - |
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