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FET, MOSFET 어레이
(535 결과)전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
 94-3449FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO | 재고 | - | |
 BSD223PFET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 | 18476 | - | |
BSO215CFET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SO | 4011 | - | |
BSO203PNTMA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8DSO | 재고 | - | |
BSO207PNTMA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 8DSO | 재고 | - | |
 BSG0811NDATMA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8 | 5567 | - | |
BSG0813NDIATMA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8 | 17801 | - | |
 BSL205NH6327XTSA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 2.5A TSOP6-6 | 88520 | - | |
BSL207NH6327XTSA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 2.1A 6TSOP | 재고 | - | |
BSL214NH6327XTSA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TSOP6-6 | 2691 | - | |
BSL215CH6327XTSA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6 | 90035 | - | |
 DF23MR12W1M1B11BOMA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2 | 21 | - | |
 FS03MR12A6MA1LBBPSA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | SIC 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD | 재고 | - | |
 FS05MR12A6MA1BBPSA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | SIC 1200V 200A AG-HYBRIDD | 재고 | - | |
 IPG20N04S418AATMA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON | 4989 | - | |
 IPG20N04S4L18AATMA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON | 4770 | - | |
 FS03MR12A6MA1BBPSA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | SIC 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD | 12 | - | |
 FS13MR12W2M1HPB11BPSA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET | 21 | - | |
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 1200V | 15 | - | |
IRF8910TRPBF-1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO | 재고 | - | |
 F411MR12W2M1HPB76BPSA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET | 15 | - | |
IRF9362PBFFET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO | 5141 | - | |
 BSZ15DC02KDHXTMA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON | 4973 | - | |
IRF7317PBFFET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO | 재고 | - | |
 IRF9395MTRPBFFET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFETMC | 재고 | - |
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