BJT(이산 양극 접합 트랜지스터)는 일반적으로 오디오, 라디오 및 기타 응용 분야에서 아날로그 신호 증폭 기능을 구성하는 데 사용됩니다. 대량 생산된 최초의 반도체 장치 중 하나인 이 장치의 특성은 고주파 스위칭 및 고전류 또는 전압 작동과 관련된 응용 분야에서 다른 장치 유형보다 덜 선호되지만, 아날로그 신호 재생이 필요한 응용 분야에서는 여전히 선택되는 기술입니다. 추가되는 소음과 왜곡을 최소화합니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
MPSA45 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 400Vcbo 350Vceo 6.0Vebo 50mA 6.0pF | 재고 | - | |
2N5249 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 2N5249 TIN/LEAD | 재고 | - | |
2N6515 APM PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 250V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage | 재고 | - | |
PN4354 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 60Vces 5.0Vceo 500mA 30pF | 재고 | - | |
2N4264 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 30Vcbo 15Vceo 6.0Vebo 200mA | 재고 | - | |
2N5059 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 250Vcbo 250Vceo 6.0Vebo 150mA 1.0W | 재고 | - | |
2N3708 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - | |
BC109C TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 30Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 200mA 600mW | 496 | - | |
PN5138 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
PN3569 TRE PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
MPS404A PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40Vcbo 35Vceo 25Vebo 150mA 625mW | 재고 | - | |
2N5226 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,500mA,310mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
2N3706 APM PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 20V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current | 재고 | - | |
MPSA92 APP TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 300Vcbo 300Vceo 5.0Vebo 20mA 6.0pF | 재고 | - | |
2N4236 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 80Vcbo 80Vceo 7.0Vebo 100pF | 재고 | - | |
2N4030 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS | 585 | - | |
PN5138 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | 재고 | - | |
2N4264 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Saturated Switch | 재고 | - | |
MPSA92 TRE TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 300V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage | 재고 | - | |
MPS2369 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Saturated Switch | 재고 | - | |
2N5089 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 30Vcbo 25Vceo 4.5Vebo 50mA 625mW | 2834 | - | |
MPS651 APM PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 80Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 2.0A 625mW | 재고 | - | |
2N6516 PBFREEBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT . . | 재고 | - | |
MPS6511 TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 30Vcbo 20Vceo 3.0Vebo 10mA 2.5pF | 재고 | - | |
2N5963 APM TIN/LEADBipolar (BJT) | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | 재고 | - |