전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
FDS4897ACFET, MOSFET Arrays | onsemi | Dual N/P-Ch MOSFET 40V 26mR SOIC 5.2A 2500/REEL | 575000 | - | |
SI6544BDQ-T1-GE3FET, MOSFET Arrays | Vishay / Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8TSSOP | 2117 | - | |
SI6968BEDQ-T1-GE3FET, MOSFET Arrays | Vishay / Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP | 2007 | - | |
SI7913DN-T1-GE3FET, MOSFET Arrays | Vishay / Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212 | 1751 | - | |
SI4559ADY-T1-GE3FET, MOSFET Arrays | Vishay / Siliconix | MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC | 재고 | - | |
SI6925ADQ-T1-GE3FET, MOSFET Arrays | Vishay / Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8TSSOP | 4514 | - | |
SI6926ADQ-T1-GE3FET, MOSFET Arrays | Vishay / Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP | 54102 | - | |
SI6954ADQ-T1-GE3FET, MOSFET Arrays | Vishay / Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP | 8243 | - | |
SI6963BDQ-T1-GE3FET, MOSFET Arrays | Vishay / Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8TSSOP | 9550 | - | |
SI7501DN-T1-GE3FET, MOSFET Arrays | Vishay / Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8 | 재고 | - | |
SI7844DP-T1-GE3FET, MOSFET Arrays | Vishay / Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 | 9374 | - | |
NTLJD3181PZTBGFET, MOSFET Arrays | onsemi | Power MOSFET 20V 3.2A 100 mOhm Dual P−Channel WDFN6 with ESD, WDFN6 2x2, 0.65P, 3000-REEL | 재고 | - | |
DMP57D5UV-7FET, MOSFET Arrays | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563 | 6815 | - | |
QS8J1TRFET, MOSFET Arrays | ROHM Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8 | 재고 | - | |
TT8J21TRFET, MOSFET Arrays | ROHM Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 2.5A 8TSST | 1428 | - | |
2N7002DW L6327FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 | 3013 | - | |
BSC072N03LDGATMA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON | 재고 | - | |
BSC150N03LDGATMA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON | 7704 | - | |
BSC750N10NDGATMA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON | 재고 | - | |
BSL205NL6327HTSA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 2.5A TSOP6-6 | 재고 | - | |
BSL214NL6327HTSA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TSOP6-6 | 3008 | - | |
BSL315PL6327HTSA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 1.5A TSOP6-6 | 재고 | - | |
BSO150N03MDGXUMA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO | 4093 | - | |
BSO220N03MDGXUMA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO | 66107 | - | |
BSO330N02KGFUMA1FET, MOSFET Arrays | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO | 재고 | - |