전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 가하면 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전도성이 변경됩니다. FET는 단일 캐리어 유형 작동을 포함하므로 유니폴라 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자나 정공을 전하 캐리어로 사용하지만 둘 다를 사용하지는 않습니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 저주파에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다.
| 부분 # | 제조업체 | 설명 | 유효성 | 가격 | 수량 |
|---|---|---|---|---|---|
STS2DNF30LFET, MOSFET Arrays | STMicroelectronics | 30V 3A N-Ch MOSFET SOIC 90mR RdsOn | 393 | 10+: $0.94644 30+: $0.89496 100+: $0.83688
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STS10DN3LH5FET, MOSFET Arrays | STMicroelectronics | Dual N-Ch MOSFET 30V 10A 21mR SO-8 | 47 | 1+: $1.42457 10+: $1.19657 30+: $1.07143 | |
STL40DN3LLH5FET, MOSFET Arrays | STMicroelectronics | 30V 16mR N-Ch MOSFET, 40A, PowerFLAT 5x6, Dual N-Ch | 1661 | 10+: $1.05257 30+: $0.93600 100+: $0.81600
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STL8DN6LF3FET, MOSFET Arrays | STMicroelectronics | Automotive-grade dual N-channel 60 V, 22.5 mOhm typ., 7.8 A STripFET F3 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 double island package | 재고 | 3000+: $0.81443 6000+: $0.80708 9000+: $0.79241 | |
CSD88539NDFET, MOSFET Arrays | Texas Instruments | High Frequency Synchronous Power Module | 844 | 1+: $0.75257 10+: $0.61885 30+: $0.55200
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CSD83325LFET, MOSFET Arrays | Texas Instruments | 12V, N ch NexFET MOSFET™, dual LGA, 5.9mOhm 6-PICOSTAR | 4 | 1+: $0.42172 10+: $0.33772 30+: $0.29657 | |
CSD87501LTFET, MOSFET Arrays | Texas Instruments | 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, dual common drain LGA, 5.5 mOhm, gate ESD protection 10-PICOSTAR -55 to 150 | 287 | 1+: $0.68400 10+: $0.67028 30+: $0.66000
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CSD87501LFET, MOSFET Arrays | Texas Instruments | 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, dual common drain LGA, 5.5 mOhm, gate ESD protection 10-PICOSTAR | 재고 | 3000+: $0.37028 | |
CSD87502Q2FET, MOSFET Arrays | Texas Instruments | 30V, N ch NexFET MOSFET™, dual SON2x2, 42mOhm 6-WSON -55 to 150 | 3045 | 5+: $0.39179 50+: $0.31292 150+: $0.27912
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CSD87502Q2TFET, MOSFET Arrays | Texas Instruments | 6-Terminal Dual Synchronous Power Module | 187 | 1+: $1.62172 10+: $1.34915 30+: $1.19828 | |
STL50DN6F7FET, MOSFET Arrays | STMicroelectronics | Dual N-channel 60 V, 9 mOhm typ., 57 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island package | 129 | 1+: $1.16057 10+: $0.94285 30+: $0.83485 | |
SSM6P35FE,LMFET, MOSFET Arrays | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6 | 3706 | - | |
BSS138DWQ-13FET, MOSFET Arrays | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363 | 3667 | - | |
DMC1030UFDBQ-13FET, MOSFET Arrays | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN | 10007 | - | |
DMG1026UVQ-7FET, MOSFET Arrays | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.44A SOT563 | 4042 | - | |
DMNH6021SPD-13FET, MOSFET Arrays | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50 | 재고 | - | |
DMNH6022SSDQ-13FET, MOSFET Arrays | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 7.1A/22.6A 8SO | 5191 | - | |
DMT3020LFDB-13FET, MOSFET Arrays | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN | 재고 | - | |
AO4606LFET, MOSFET Arrays | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC | 448 | - | |
AO4606L_DELTAFET, MOSFET Arrays | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC | 재고 | - | |
STL76DN4LF7AGFET, MOSFET Arrays | STMicroelectronics | Automotive-grade dual N-channel 40 V, 5 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 double island package | 1937 | 1+: $0.93257 10+: $0.83657 30+: $0.78343
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DMN2991UDR4-7RFET, MOSFET Arrays | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.5A 6DFN | 440 | 5+: $0.10025 50+: $0.09820 150+: $0.09683 | |
PMDT290UNE,115FET, MOSFET Arrays | Nexperia | Dual N-Channel Trench MOSFET, 20V, 800mA, SOT-6 | 8250 | 50+: $0.18565 150+: $0.16483 500+: $0.13885
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SSM6N15AFU,LFFET, MOSFET Arrays | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6 | 5183 | 5+: $0.10285 50+: $0.08227 150+: $0.07199
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EM6K1GT2RFET, MOSFET Arrays | ROHM Semiconductor | 재고 | 100+: $0.03671 300+: $0.03217 1000+: $0.02880
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