STMicroelectronics
STL76DN4LF7AG
FET, MOSFET 어레이
STL76DN4LF7AG
289-STL76DN4LF7AG
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MOSFET 2N-CH 40V 40A POWERFLAT
재고 : 20527
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기술 사양
Unit Weight
구성
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
Id - Continuous Drain Current
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
Typical Rise Time (ns)
PPAP
Channel Mode
Typical Turn-On Delay Time (ns)
제품상태
Fall Time
Automotive
RoHS
드레인-소스 전압(Vdss)
Supplier Package
트랜지스터 유형
패키지/케이스
채널 수
Typical Turn-On Delay Time
기술
REACH 상태
채널 유형
EU RoHS
Maximum Continuous Drain Current (A)
Rds On - Drain-Source Resistance
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)
Maximum Drain Source Voltage (V)
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
ECCN
등급
Supplier Temperature Grade
장착 유형
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(일)(최대) @ Id
Pin Count
Mounting
자격
Minimum Gate Threshold Voltage (V)
Rise Time
Lead Shape
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
SVHC
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
HTSUS
패키지
USHTS
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
Category
PCB changed
HTS
Number of Elements per Chip
ECCN (US)
Maximum Power Dissipation (mW)
공급자 장치 패키지
Qg - Gate Charge
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
Typical Fall Time (ns)
Process Technology
Package Height
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)
제조업체
Maximum Operating Temperature
RoHS 현황
장착 스타일
FET 기능
Maximum Gate Source Voltage (V)
SVHC Exceeds Threshold
Vgs - Gate-Source Voltage
Typical Turn-Off Delay Time
Transistor Polarity
Package Length
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
Maximum Diode Forward Voltage (V)
Minimum Operating Temperature
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
시리즈
Operating Junction Temperature (°C)
Typical Output Capacitance (pF)
전력 - 최대
Part Status
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
Package Width
Pd - Power Dissipation
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W)
기본 제품 번호
ECCN (EU)
RoHs compliant
STL76DN4LF7AG 서류
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STL76DN4LF7AG Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021 STL76DN4LF7AG 관련 부품
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