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Vishay
SI8808DB-T2-E1
278-SI8808DB-T2-E1
PDF 데이터시트
Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.80 X 0.80 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MICRO FOOT, 4 PIN
63 weeks
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B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
Continuous Drain Current (ID)
2.5A
Drain to Source Resistance
95mR
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
Gate to Source Voltage (Vgs)
8V
입력 커패시턴스
330pF
Max Operating Temperature
150°C
Min Operating Temperature
-55°C
Max Power Dissipation
500mW
FAQ
SI8808DB-T2-E1의 장착 방식은 무엇인가요?
현재 제품 사양에 따르면 SI8808DB-T2-E1의 장착 방식은 Surface Mount입니다.
SI8808DB-T2-E1의 표준 리드타임은 얼마인가요?
SI8808DB-T2-E1은(는) 현재 재고가 있나요?
SI8808DB-T2-E1에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
SI8808DB-T2-E1은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
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