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SIA537EDJ-T1-GE3
278-SIA537EDJ-T1-GE3
PDF 데이터시트
Small Signal Field-Effect Transistor,
16 weeks
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B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
Continuous Drain Current (ID)
4.5A
Drain to Source Resistance
75mR
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
Fall Time
10ns
FET 유형
N and P-Channel
Gate to Source Voltage (Vgs)
8V
입력 커패시턴스
455pF
Max Operating Temperature
150°C
FAQ
SIA537EDJ-T1-GE3은(는) 현재 재고가 있나요?
예. 현재 SIA537EDJ-T1-GE3의 재고는 22개로 표시됩니다.
SIA537EDJ-T1-GE3은(는) 무엇인가요?
SIA537EDJ-T1-GE3에 수량별 가격이 있나요?
SIA537EDJ-T1-GE3의 표준 리드타임은 얼마인가요?
SIA537EDJ-T1-GE3의 장착 방식은 무엇인가요?
유효성
(재고 :
22 )
| 수량 | 단가 | 내선 가격 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.84343 | $0.84 |
| 10+ | $0.82285 | $8.23 |
| 30+ | $0.80915 | $24.27 |
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