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Vishay
SI4425BDY-T1-E3
278-SI4425BDY-T1-E3
PDF 데이터시트
P-CH MOSFET 30V 8.8A 12mR SOIC N
13 weeks
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정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질
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기술 사양
Package/Case
SOIC
Continuous Drain Current (ID)
8.8A
Drain to Source Resistance
12mR
드레인-소스 전압(Vdss)
-30V
Drain-source On Resistance-Max
12mR
Fall Time
13ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
키
1.55mm
FAQ
SI4425BDY-T1-E3의 장착 방식은 무엇인가요?
현재 제품 사양에 따르면 SI4425BDY-T1-E3의 장착 방식은 Surface Mount입니다.
SI4425BDY-T1-E3의 표준 리드타임은 얼마인가요?
SI4425BDY-T1-E3에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
SI4425BDY-T1-E3에 수량별 가격이 있나요?
SI4425BDY-T1-E3은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
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