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책임 있는 품질
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기술 사양
Package/Case
TSOP
Continuous Drain Current (ID)
4.8A
Drain to Source Breakdown Voltage
12V
Drain to Source Resistance
73mR
Fall Time
45ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
8V
Max Operating Temperature
150°C
Min Operating Temperature
-55°C
FAQ
SI3435DV-T1은(는) 무엇인가요?
SI3435DV-T1은(는) Vishay의 RF FETs, MOSFETs입니다. 이 제품 페이지에서는 주요 사양, 가격 정보, 재고 현황 및 문의 방법을 확인할 수 있습니다.
SI3435DV-T1에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
SI3435DV-T1은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
SI3435DV-T1은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?
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