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책임 있는 품질
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기술 사양
Status
Active
FET 기능
Logic Level Gate
FET 유형
2 P-Channel (Dual)
Max Gate Charge
4.2nC @ 8V
Continuous Drain Current at 25°C
1.3A
Max Input Capacitance
120pF @ 6V
Gate-Source Threshold Voltage
1V @ 250μA
Mounting
SMD (SMT)
FAQ
SI1965DH-E3에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
예. 관련 제품 데이터가 있는 경우 이 페이지에 관련 부품 또는 대체 부품이 표시될 수 있습니다.
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SI1965DH-E3은(는) 무엇인가요?
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