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SI2323DDS-T1-GE3
278-SI2323DDS-T1-GE3
PDF 데이터시트
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN
6 weeks
왜 우리를 선택해야 합니까?
전문 플랫폼
B2B 및 B2C 구매초고속 배송
1-2일 이내 배송다양한 종류
정품 제조업체365일 보증
책임 있는 품질기술 사양
Package/Case
SOT-23
Continuous Drain Current (ID)
-5.3A
Drain to Source Resistance
39mR
드레인-소스 전압(Vdss)
-20V
Fall Time
11ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
8V
입력 커패시턴스
1.16nF
Lead Free
Lead Free
FAQ
SI2323DDS-T1-GE3에 표시된 전압 사양은 무엇인가요?
SI2323DDS-T1-GE3에 현재 표시된 전압 관련 사양은 -20V입니다.
SI2323DDS-T1-GE3에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
SI2323DDS-T1-GE3은(는) 무엇인가요?
SI2323DDS-T1-GE3에 수량별 가격이 있나요?
SI2323DDS-T1-GE3은(는) 어떤 동작 온도 범위를 지원하나요?



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