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SI2312BDS-T1-E3
278-SI2312BDS-T1-E3
PDF 데이터시트
N-Channel Si JFET, 20V, 3.9A, 31mR RdsOn, SOT-23-3
13 weeks
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책임 있는 품질
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기술 사양
Package/Case
SOT-23-3
Continuous Drain Current (ID)
3.9A
Drain to Source Breakdown Voltage
20V
Drain to Source Resistance
31mR
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
Drain-source On Resistance-Max
31mR
Fall Time
10ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
8V
FAQ
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예. 현재 SI2312BDS-T1-E3의 재고는 2개로 표시됩니다.
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SI2312BDS-T1-E3은(는) 어떤 패키지 / 케이스로 제공되나요?
SI2312BDS-T1-E3에 수량별 가격이 있나요?
SI2312BDS-T1-E3에 관련 부품이나 대체 부품이 있나요?
유효성
(재고 :
2 )
| 수량 | 단가 | 내선 가격 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.39835 | $0.40 |
| 10+ | $0.31409 | $3.14 |
| 30+ | $0.27797 | $8.34 |
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