Texas Instruments
CSD18563Q5A
단일 FET, MOSFET
CSD18563Q5A
278-CSD18563Q5A
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MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
재고 : 8218
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기술 사양
Unit Weight
구성
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
제품
PPAP
Fall Time
Automotive
RoHS
Maximum IDSS (uA)
Typical Turn-On Delay Time
REACH 상태
채널 유형
Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ)
Maximum Continuous Drain Current (A)
VGSTH typ (typ) (V)
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)
Operating temperature range (°C)
Maximum Drain Source Voltage (V)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Standard Package Name
Typical Reverse Recovery Charge (nC)
Mounting
Rise Time
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
Typical Gate to Drain Charge (nC)
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
패키지
Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W)
Maximum Gate Resistance (Ohm)
Logic level
Typical Reverse Recovery Time (ns)
Qg - Gate Charge
전력 소비(최대)
Process Technology
Package Height
Typical Gate to Source Charge (nC)
Vgs(최대)
Maximum Operating Temperature
너비
RoHS 현황
Typical Gate Threshold Voltage (V)
SVHC Exceeds Threshold
Transistor Polarity
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
Maximum Diode Forward Voltage (V)
Minimum Operating Temperature
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
Typical Diode Forward Voltage (V)
유형
Typical Output Capacitance (pF)
길이
Part Status
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
Lead finish / Ball material
Package Width
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W)
VGS (V)
VDS (V)
QGD (typ) (nC)
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
Id - Continuous Drain Current
Typical Rise Time (ns)
Channel Mode
Typical Turn-On Delay Time (ns)
제품상태
드레인-소스 전압(Vdss)
Supplier Package
Tradename
ID - package limited (A)
트랜지스터 유형
패키지/케이스
채널 수
기술
EU RoHS
Carrier
Rds On - Drain-Source Resistance
ID - silicon limited at TC=25°C (A)
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
ECCN
MSL rating / Peak reflow
장착 유형
Vgs(일)(최대) @ Id
Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A)
Pin Count
Minimum Gate Threshold Voltage (V)
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)
SVHC
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
HTSUS
Pins
USHTS
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
Category
PCB changed
HTS
FET 유형
Number of Elements per Chip
Rating
ECCN (US)
Maximum Power Dissipation (mW)
공급자 장치 패키지
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
QG (typ) (nC)
Typical Fall Time (ns)
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)
제조업체
키
장착 스타일
Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ)
FET 기능
Maximum Gate Source Voltage (V)
Vgs - Gate-Source Voltage
Typical Gate Plateau Voltage (V)
Typical Turn-Off Delay Time
재료
Package Length
QGS (typ) (nC)
REACH
시리즈
Operating Junction Temperature (°C)
Pd - Power Dissipation
기본 제품 번호
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