Texas Instruments
CSD17318Q2
단일 FET, MOSFET
CSD17318Q2
278-CSD17318Q2
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MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON
재고 : 6296
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기술 사양
Unit Weight
구성
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
PPAP
Fall Time
Automotive
RoHS
Typical Turn-On Delay Time
REACH 상태
채널 유형
Maximum Continuous Drain Current (A)
VGSTH typ (typ) (V)
Operating temperature range (°C)
Maximum Drain Source Voltage (V)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Standard Package Name
Mounting
Rise Time
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
Typical Gate to Drain Charge (nC)
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
패키지
Logic level
Qg - Gate Charge
전력 소비(최대)
Package Height
Vgs(최대)
Maximum Operating Temperature
RoHS 현황
Typical Gate Threshold Voltage (V)
Transistor Polarity
Minimum Operating Temperature
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
유형
Part Status
Lead finish / Ball material
Package Width
VGS (V)
VDS (V)
QGD (typ) (nC)
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
Id - Continuous Drain Current
Typical Rise Time (ns)
Channel Mode
Typical Turn-On Delay Time (ns)
제품상태
드레인-소스 전압(Vdss)
Supplier Package
Tradename
ID - package limited (A)
트랜지스터 유형
패키지/케이스
채널 수
기술
EU RoHS
Carrier
Rds On - Drain-Source Resistance
ID - silicon limited at TC=25°C (A)
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
ECCN
MSL rating / Peak reflow
장착 유형
Vgs(일)(최대) @ Id
Pin Count
Lead Shape
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
HTSUS
Pins
USHTS
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
Category
PCB changed
HTS
FET 유형
Number of Elements per Chip
Rating
ECCN (US)
Maximum Power Dissipation (mW)
공급자 장치 패키지
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
QG (typ) (nC)
Typical Fall Time (ns)
제조업체
장착 스타일
Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ)
FET 기능
Maximum Gate Source Voltage (V)
Vgs - Gate-Source Voltage
Typical Turn-Off Delay Time
재료
Package Length
QGS (typ) (nC)
REACH
시리즈
Forward Transconductance - Min
Pd - Power Dissipation
기본 제품 번호
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