STMicroelectronics
STW33N60M6
단일 FET, MOSFET
STW33N60M6
278-STW33N60M6
STMicroelectronics-STW33N60M6-datasheets-3303324.pdf
MOSFET N-CH 600V TO247
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기술 사양
Unit Weight
구성
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
Id - Continuous Drain Current
Typical Rise Time (ns)
PPAP
Channel Mode
Typical Turn-On Delay Time (ns)
제품상태
Automotive
RoHS
드레인-소스 전압(Vdss)
Supplier Package
Tradename
Maximum IDSS (uA)
패키지/케이스
채널 수
기술
REACH 상태
채널 유형
EU RoHS
Maximum Continuous Drain Current (A)
Rds On - Drain-Source Resistance
수분 민감도 수준(MSL)
Maximum Drain Source Voltage (V)
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
ECCN
Supplier Temperature Grade
장착 유형
Standard Package Name
Pin Count
Mounting
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
SVHC
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
HTSUS
패키지
USHTS
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
Category
PCB changed
HTS
FET 유형
Number of Elements per Chip
ECCN (US)
Maximum Power Dissipation (mW)
공급자 장치 패키지
Qg - Gate Charge
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
Typical Fall Time (ns)
Process Technology
제조업체
Maximum Operating Temperature
RoHS 현황
장착 스타일
Maximum Gate Source Voltage (V)
SVHC Exceeds Threshold
Vgs - Gate-Source Voltage
Transistor Polarity
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
Minimum Operating Temperature
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
시리즈
Tab
Part Status
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
Pd - Power Dissipation
기본 제품 번호
등급
ECCN (EU)
RoHs compliant
STW33N60M6 서류
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Standard outer labelling 15/Nov/2023 관련 부품
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