STMicroelectronics
STH130N10F3-2
단일 FET, MOSFET
STH130N10F3-2
278-STH130N10F3-2
STMicroelectronics-STH130N10F3-2-datasheets-474499.pdf
MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2
재고 : 1670
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기술 사양
FET 유형
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
제품상태
공급자 장치 패키지
드레인-소스 전압(Vdss)
전력 소비(최대)
패키지/케이스
기술
REACH 상태
제조업체
Vgs(최대)
RoHS 현황
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
FET 기능
ECCN
장착 유형
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(일)(최대) @ Id
시리즈
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
HTSUS
패키지
기본 제품 번호
장착 스타일
Unit Weight
구성
Vgs - Gate-Source Voltage
Id - Continuous Drain Current
Transistor Polarity
Channel Mode
RoHS
Qg - Gate Charge
Minimum Operating Temperature
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
Tradename
채널 수
Maximum Operating Temperature
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
Pd - Power Dissipation
USHTS
Rds On - Drain-Source Resistance
STH130N10F3-2 서류
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