STMicroelectronics_STP9N65M2

STMicroelectronics
STP9N65M2  
단일 FET, MOSFET

STMicroelectronics
STP9N65M2
278-STP9N65M2
Ersa
STMicroelectronics-STP9N65M2-datasheets-9528275.pdf
MOSFET N-CH 650V 5A TO220
재고 : 923

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ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001

기술 사양

Unit Weight
구성
Id - Continuous Drain Current
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
제품
Channel Mode
제품상태
Fall Time
RoHS
드레인-소스 전압(Vdss)
Tradename
트랜지스터 유형
패키지/케이스
채널 수
Typical Turn-On Delay Time
기술
REACH 상태
Rds On - Drain-Source Resistance
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
ECCN
장착 유형
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(일)(최대) @ Id
Rise Time
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
HTSUS
패키지
USHTS
FET 유형
공급자 장치 패키지
Qg - Gate Charge
전력 소비(최대)
제조업체
Vgs(최대)
Maximum Operating Temperature
RoHS 현황
장착 스타일
FET 기능
Vgs - Gate-Source Voltage
Typical Turn-Off Delay Time
Transistor Polarity
Minimum Operating Temperature
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
시리즈
Pd - Power Dissipation
기본 제품 번호
Supplier Package
ECCN (US)
등급
ECCN (EU)
RoHs compliant

STP9N65M2 서류

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Ersa Mult Dev Wafer Site Add 3/Aug/2018      
Ersa ST(D,F,P,U)9N65M2      
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