STMicroelectronics
STD10P6F6
단일 FET, MOSFET
STD10P6F6
278-STD10P6F6
STMicroelectronics-STD10P6F6-datasheets-438462.pdf
MOSFET P CH 60V 10A DPAK
재고 : 13892
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기술 사양
Unit Weight
구성
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
Id - Continuous Drain Current
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
Typical Rise Time (ns)
PPAP
Channel Mode
Typical Turn-On Delay Time (ns)
제품상태
Fall Time
Automotive
RoHS
드레인-소스 전압(Vdss)
Supplier Package
Tradename
Maximum IDSS (uA)
트랜지스터 유형
패키지/케이스
채널 수
Typical Turn-On Delay Time
기술
REACH 상태
채널 유형
EU RoHS
Maximum Continuous Drain Current (A)
Rds On - Drain-Source Resistance
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
Maximum Drain Source Voltage (V)
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
ECCN
Supplier Temperature Grade
장착 유형
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Standard Package Name
Vgs(일)(최대) @ Id
Pin Count
Mounting
Rise Time
Lead Shape
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
SVHC
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
HTSUS
패키지
USHTS
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
Category
PCB changed
HTS
FET 유형
Number of Elements per Chip
ECCN (US)
Maximum Power Dissipation (mW)
공급자 장치 패키지
Qg - Gate Charge
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
전력 소비(최대)
Typical Fall Time (ns)
Process Technology
Package Height
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)
제조업체
Vgs(최대)
Maximum Operating Temperature
RoHS 현황
장착 스타일
FET 기능
Maximum Gate Source Voltage (V)
SVHC Exceeds Threshold
Vgs - Gate-Source Voltage
Typical Turn-Off Delay Time
Transistor Polarity
Package Length
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
Maximum Diode Forward Voltage (V)
Minimum Operating Temperature
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
시리즈
Operating Junction Temperature (°C)
Tab
Part Status
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
Package Width
Pd - Power Dissipation
기본 제품 번호
등급
ECCN (EU)
RoHs compliant
STD10P6F6 서류
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STx10P6F6 Reel Design Change 22/Aug/2022 Box Label Chg 28/Jul/2016 STD10P6F6 View All Specifications STx10P6F6 관련 부품
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