STMicroelectronics
STH180N10F3-2
단일 FET, MOSFET
STH180N10F3-2
278-STH180N10F3-2
STMicroelectronics-STH180N10F3-2-datasheets-10315381.pdf
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
재고 : 1221
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기술 사양
구성
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
Typical Rise Time (ns)
PPAP
Channel Mode
Typical Turn-On Delay Time (ns)
제품상태
Automotive
드레인-소스 전압(Vdss)
Supplier Package
패키지/케이스
기술
REACH 상태
채널 유형
EU RoHS
Maximum Continuous Drain Current (A)
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
Maximum Drain Source Voltage (V)
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
ECCN
Supplier Temperature Grade
장착 유형
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(일)(최대) @ Id
Pin Count
Mounting
Lead Shape
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
SVHC
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
HTSUS
패키지
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
Category
PCB changed
HTS
FET 유형
Number of Elements per Chip
ECCN (US)
Maximum Power Dissipation (mW)
공급자 장치 패키지
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
전력 소비(최대)
Typical Fall Time (ns)
Process Technology
Package Height
제조업체
Vgs(최대)
RoHS 현황
FET 기능
Maximum Gate Source Voltage (V)
SVHC Exceeds Threshold
Package Length
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
시리즈
Tab
Part Status
Package Width
기본 제품 번호
Unit Weight
Id - Continuous Drain Current
Fall Time
RoHS
Qg - Gate Charge
Tradename
트랜지스터 유형
채널 수
Maximum Operating Temperature
Rds On - Drain-Source Resistance
장착 스타일
Vgs - Gate-Source Voltage
Transistor Polarity
Minimum Operating Temperature
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
Rise Time
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
Pd - Power Dissipation
USHTS
STH180N10F3-2 서류
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STH180N10F3-2 Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021 STH180N10F3-2 View All Specifications STH180N10F3-2 관련 부품
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