STMicroelectronics
STB50N65DM6
단일 FET, MOSFET
STB50N65DM6
278-STB50N65DM6
STMicroelectronics-STB50N65DM6-datasheets-12389170.pdf
MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
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기술 사양
구성
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
Typical Rise Time (ns)
PPAP
Channel Mode
Typical Turn-On Delay Time (ns)
제품상태
Automotive
RoHS
드레인-소스 전압(Vdss)
Supplier Package
Tradename
패키지/케이스
기술
REACH 상태
채널 유형
EU RoHS
Maximum Continuous Drain Current (A)
작동 온도
Maximum Drain Source Voltage (V)
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
ECCN
Supplier Temperature Grade
장착 유형
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Standard Package Name
Vgs(일)(최대) @ Id
Pin Count
Mounting
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
SVHC
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
HTSUS
패키지
USHTS
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
Category
PCB changed
HTS
FET 유형
Number of Elements per Chip
ECCN (US)
Maximum Power Dissipation (mW)
공급자 장치 패키지
Minimum Operating Temperature (°C)
Maximum Operating Temperature (°C)
전력 소비(최대)
Typical Fall Time (ns)
Package Height
제조업체
Vgs(최대)
RoHS 현황
FET 기능
Maximum Gate Source Voltage (V)
SVHC Exceeds Threshold
Package Length
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
시리즈
Tab
Part Status
Package Width
기본 제품 번호
등급
ECCN (EU)
RoHs compliant
STB50N65DM6 서류
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STB50N65DM6 Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021 관련 부품
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